硅 N 通道增强型 VDMOSFET-CS10N65F A9R

kwanghua

CS10N65F A9R 是一种硅 N 通道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面工艺，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO-220F，符合 RoHS 标准。特点：
! a. r# K( o2 f' g快速切换
, }9 I: D  g, O低导通电阻(Rdson≤1.0Ω)
. i9 a0 M9 C0 h3 v' O5 O4 M$ ^2 m低栅极电荷(典型数据：32nC)
5 h& n. L2 `, B1 ]低反向传输电容(典型值：7pF)
100%单脉冲雪崩能量测试
应用：
- i; u+ R$ M( i9 Z; P适配器和充电器的功率开关电路。
- G  c, ~- @$ G/ w8 _' L

s8484ww

能申请样片吗

kwanghua

s8484ww 发表于 2024-9-23 10:38
! {% N( w) n7 _能申请样片吗

# {6 e0 b) p2 P2 r$ I可以先加一下，vcs01-Kwanghua