硅 N 通道增强型 VDMOSFET-CS10N65F A9R

kwanghua

CS10N65F A9R 是一种硅 N 通道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面工艺，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO-220F，符合 RoHS 标准。特点：
快速切换
: p0 E9 I2 g. B$ D* Z低导通电阻(Rdson≤1.0Ω)
低栅极电荷(典型数据：32nC)
0 Y9 U" f9 T( K" V, d低反向传输电容(典型值：7pF)
  m! H3 g' f( q8 j2 F' T, H100%单脉冲雪崩能量测试
应用：
, v3 C5 ]* V/ p; H5 C+ j' R( n) C适配器和充电器的功率开关电路。

s8484ww

能申请样片吗

kwanghua

s8484ww 发表于 2024-9-23 10:38
" M- z. }$ d/ I6 {能申请样片吗

可以先加一下，vcs01-Kwanghua