硅 N 通道增强型 VDMOSFET-CS10N65F A9R

kwanghua

CS10N65F A9R 是一种硅 N 通道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面工艺，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO-220F，符合 RoHS 标准。特点：
快速切换
低导通电阻(Rdson≤1.0Ω)
, i0 _2 U( w5 ^: k! O低栅极电荷(典型数据：32nC)
0 f* D+ g( E9 B2 o低反向传输电容(典型值：7pF)
/ d2 b" A0 y$ o5 @$ ~) l100%单脉冲雪崩能量测试
' G+ L# M' a4 S, c应用：
适配器和充电器的功率开关电路。

kwanghua

' P/ P  Q% A- z
有需要可以v我们cs01-Kwanghua