硅 N 通道增强型 VDMOSFET-CS12N65F A9R

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CS12N65F A9R 是一种硅 N 通道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面工艺，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为 TO-220F，符合 RoHS 标准。特点：
9 V  Z0 s+ V+ r4 l+ r) F快速切换
低导通电阻(Rdson≤0.8Ω)
5 z+ f# H( J' k低栅极电荷(典型数据：40nC)
低反向传输电容(典型值：9.5pF)
100%单脉冲雪崩能量测试
应用：
% A1 w% r" _5 s适配器和充电器的功率开关电路。
绝对值(Tc=25℃，除非另有说明。

Quiescent_521

能申请样片吗？

kwanghua

Quiescent_521 发表于 2024-9-20 18:29
能申请样片吗？

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