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DDR2走线

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1#
发表于 2012-9-7 08:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请教下大家,ARM核心板DDR2走线需要用软体仿真吗?(主芯片9G45,频率300M)

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2#
发表于 2012-9-7 11:48 | 只看该作者

5 ^( u1 U3 d1 L# W8 H4 Q- u5 m7 ?

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3#
发表于 2012-9-7 12:23 | 只看该作者
一般来说,较严格遵守走线规则即可,比如阻抗和等长。另外,用IBIS模型仿真一下看看就行。后端PCB仿真,我还一直没做过,这个要请教高手了。

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4#
发表于 2012-9-7 12:25 | 只看该作者
较严格遵守走线规则即可,比如阻抗和等长。仿真的话,我只做过简单的IBIS模型仿真,PCB仿真一直都没做过,这个要请教仿真高手了。

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5#
发表于 2012-9-7 17:40 | 只看该作者
阻抗\等长\间距控制好,信号参考面保证完整,基本上OK了

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6#
 楼主| 发表于 2012-9-8 08:54 | 只看该作者
阻抗相等的话不是要仿真了
  • TA的每日心情
    开心
    2021-3-11 15:19
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    7#
    发表于 2012-9-8 10:18 | 只看该作者
    阻抗相等?

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    8#
     楼主| 发表于 2012-9-14 17:22 | 只看该作者
    高人们指导下啊

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    9#
    发表于 2012-9-15 13:24 | 只看该作者
    最近我也在纠结这方面的,能否有高手知道下这部分的仿真要怎样做?或者等长线的关键因素有哪些?

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    10#
    发表于 2013-7-23 08:15 | 只看该作者
    阻抗不看重,等长最重要。 要是严格按照阻抗来走,项目就不用做了。
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