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本帖最后由 Heaven_1 于 2024-8-6 11:00 编辑 ) ?" h3 H9 q; |, P6 c- b; P
3 ]: X: G9 Y7 n6 x0 W6 F如何帮助高频电源开关达成提效降损的作用目的呢?核心在于选用对的SGT MOSFET。因为SGT MOSFET在高频开关电源中的作用主要是提高效率、降低功率损耗、改善热管理、提升高频性能和优化EMI表现,从而使整个电源系统性能更佳,体积更小,更具竞争力。
. A$ y6 Q0 c( Q4 i5 |4 L8 l& ~3 T8 ~; O( g* C. j3 u
目前常见会使用的SGT MOSFET型号会有IPT015N10N5,而在国内可以推荐一款更优可代换的产品是FHL385N1F1A场效应管!8 T0 w- O1 F9 o& E$ c F
$ u2 S. }1 B! [$ H4 e0 B u7 Q# p/ }9 S" b" V- B5 P
为何对FHL385N1F1A型号场效应管在高频开关电源中使用能给予认可呢?除了其正是385A、100V参数的mos管外,还因其具备优秀的产品特点:
7 A- T6 W [/ X# M6 v9 T
2 {* h- b; }2 A5 l' I: L! Q1、工业级的可靠性能:封装电感小,带来出色的EMI特性和可靠性。1 O% h$ X& n6 M
2、100% EAS测试,使产品可靠性有数据参考
7 ~$ G. I- Y: W2 k, A3、100% DVDS热阻测试(更低的热阻,带来优异的温升表现)0 n& U" [; T( l' g
4、100% Rg测试,验证产品的稳定性* W9 a9 e7 e& C
5、低导通内阻:使产品支持更小的阻抗和更大的峰值电流。4 P3 p" a, R, i% r3 y6 u) J
/ ]" V% @7 `4 W1 r% u# u, ]7 [5 o8 ~$ u3 Q/ V# v2 T$ n
当然除了产品具备的优良特点外,FHL385N1F1A能替代IPT015N10N5低压MOS管型号型号其还具备优良的参数:
( f- O3 A) ]) J% e+ R1 l: m2 V) V% r4 }; _; i" y
1、最大脉冲漏记电流(IDM ):1540A0 S0 B5 \3 _% Y% u
2、反向传输电容:940pF
8 [" n2 k; F: u2 ?& C3、 RDS(on) = 1.5mΩ(MAX) @vgs = 10 V,RDS(on) =1.3mΩ(TYP) @VGS = 10 V1 V: J+ `4 n$ u) |% A# g+ d2 i
4、N沟道增强型场效应晶体管! m1 }4 J1 g$ [- i9 }
5、Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V;- g% Z8 W' V9 z4 o
6、ID(A):385A;BVdss(V):100V
/ Q- K* ^. `7 c; X# X: u2 P7、静态导通电阻(typ):1.3mΩ
2 R. t3 J2 z6 j; S9 x4 w8、FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形(具有小体积、低封装内阻、低寄生电感、低热阻等特点)
+ P) H: H6 N' R/ J* \! c/ y$ S* v: U: T* c
由此可见,高频开关电源想要达成提效降损是可以直接选用FHL385N1F1A型号场效应管,其参数可见详细产品规格书。FHL385N1F1A型号MOS管,是由国内已经专注研发20年的MOS管厂家生产。" a: e( |( F9 B+ C* Q
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2 `: H% F4 M# v$ z, B$ S6 ~1 H
因其达工业级mos管特点,所以更广泛使用在高频开关电源、电动摩托车72V蓄电池电机控制、电动四轮观光车、PD电源、同步整流、锂电保护、通信电源等高功率密度应用场景;mos管品牌替代型号:IPT015N10N5。
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