基板工艺SOP和OSP问题

17794208985

请教大佬们，基板设计中的SOP工艺和OSP工艺，有什么区别呢？什么样的场景下需要使用哪种工艺，对应地在设计上需要注意做什么处理呢？谢谢。

Dc2024022229a

SOP工艺  Solder On Pad，一般是FC Chip使用，基板的Pad上通过植球，然后压扁成型，形成Solder Bump，便于后续的芯片粘接。
& h# e" ~" `- l* o3 t: H, FOSP工艺 有机保护膜，定义应用如上表，是为了保护Cu Pad不被氧化，保证焊线或者植球时的良好的结合，OSP一般可以通过FLux处理掉，也有不处理的。

Getaway

17794208985

Getaway 发表于 2024-7-22 18:32

这个很明显不对，sop解释为了作业指导规范，不是表面工艺处理，网上找了好久也没找到

星期三小子

17794208985 发表于 2024-7-23 09:04
% `/ f2 s" t9 }+ J+ ^这个很明显不对，sop解释为了作业指导规范，不是表面工艺处理，网上找了好久也没找到

参照3楼描述

17794208985

Dc2024022229a 发表于 2024-7-23 09:03
+ }) z6 u- |" @$ ]9 E, o# e- FSOP工艺  Solder On Pad，一般是FC Chip使用，基板的Pad上通过植球，然后压扁成型，形成Solder Bump，便于 ...

大佬，请问下，那sop可以用在C2上吗？比如FC 形式的 bump pItch间距110um或者更小的话，bump中间做不了绿油桥，能继续使用SOP吗？就是想了解下这两种工艺的应用场景，谢谢

星期三小子

星期三小子 发表于 2024-7-23 09:09
# `6 Y7 p$ I: X参照3楼描述

说错了 是2#

17794208985

星期三小子 发表于 2024-7-23 09:09
参照3楼描述

嗯嗯  谢谢  看到了  sop那里有个H，那SOP是不是只能应用在C4上？C2上可以用吗？

星期三小子

17794208985 发表于 2024-7-23 09:10
大佬，请问下，那sop可以用在C2上吗？比如FC 形式的 bump pItch间距110um或者更小的话，bump中间做不了绿 ...

可以看下这个，主要应用区分还是受限于bump pitch间距和费用。 Solder Bump的 bump pitch间距normal  min=150um，也就是说小于这个值就需要用C2了；
0 x/ o9 Y3 S& G# \/ S0 i8 G# V同时C4和C2需要的开窗尺寸也不同

17794208985

星期三小子 发表于 2024-7-23 12:34
5 w. d* o; Y" _$ S可以看下这个，主要应用区分还是受限于bump pitch间距和费用。 Solder Bump的 bump pitch间距normal  min ...

, `: \9 i4 f3 O8 l# K好的  感谢感谢

Dc2024022229a

星期三小子 发表于 2024-7-23 12:34
5 o- h8 a1 T# ?可以看下这个，主要应用区分还是受限于bump pitch间距和费用。 Solder Bump的 bump pitch间距normal  min ...

# _8 r! x' N+ n) m0 ]: u感谢上面的表格说明。
我在捋一下，如果是针对芯片的bump pad处理，SOP 一般就是针对Solder bump （C4技术），如果是Pillar Bump就是C2技术。
' R% [$ i- J/ ]0 U# m1 h0 a

我想问的是FC的基板，pad 上如果是SOP加工处理了，那芯片的Solder Bump 或 Pillar Bump 都适用吗？
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星期三小子

Dc2024022229a 发表于 2024-7-24 16:00
: ^7 }% S6 Q9 s( R感谢上面的表格说明。
我在捋一下，如果是针对芯片的bump pad处理，SOP 一般就是针对Solder bump （C4技 ...

- ~3 O3 E, ^4 e! x设计上可以适用（基板PAD参数需要同bump参数互相适配），但是建议综合考虑，可以参照附图