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PCB边缘为什么不能放至晶振?

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 楼主| 发表于 2024-4-30 16:51 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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某行车记录仪,测试的时候要加一个外接适配器,在机器上电运行测试时发现超标,具体频点是 84MHz、144MHz、168MHz,需要分析其辐射超标产生的原因,并给出相应的对策。辐射测试数据如下:

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图 1:辐射测试数据

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辐射源头分析" J! i. B% S6 X& k; Y) q6 B+ }
该产品只有一块 PCB,其上有一个 12MHz 的晶体。其中超标频点恰好都是 12MHz 的倍频,而分析该机器容易 EMI 辐射超标的屏和摄像头,发现 LCD-CLK 是 33MHz,而摄像头 MCLK 是 24MHz;通过排除发现去掉摄像头后,超标点依然存在,而通过屏蔽 12MHz 晶体,超标点有降低,由此判断 144MHz 超标点与晶体有关,PCB 布局如下:

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图 2:PCB 布局图

' T7 Y, H/ A/ j/ d7 J3 r
辐射产生的原理! r- D- C% w! ~+ \: B9 ]1 ~, |
从 PCB 布局可以看出,12MHz 的晶体正好布置在了 PCB 边缘,当产品放置于辐射发射的测试环境中时,被测产品的高速器件与实验室中参考地会形成一定的容性耦合,产生寄生电容,导致出现共模辐射,寄生电容越大,共模辐射越强;而寄生电容实质就是晶体与参考地之间的电场分布,当两者之间电压恒定时,两者之间电场分布越多,两者之间电场强度就越大,寄生电容也会越大,晶体在 PCB 边缘与在 PCB 中间时电场分布如下:

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图 3:PCB 边缘的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图

" T3 B% Z, Q0 C; o0 k; X
图 4:PCB 中间的晶振与参考接地板之间的电场分布示意图
: I2 H5 A; C) H
从图中可以看出,当晶振布置在 PCB 中间,或离 PCB 边缘较远时,由于 PCB 中工作地(GND)平面的存在,使大部分的电场控制在晶振与工作地之间,即在 PCB 内部,分布到参考接地板的电场大大减小,导致辐射发射就降低了。

6 F( H9 Y$ R7 S6 F6 O' x/ ?
处理措施
/ P9 v1 W* |7 F& f& B2 A将晶振内移,使其离 PCB 边缘至少 1cm 以上的距离,并在 PCB 表层离晶振 1cm 的范围内敷铜,同时把表层的铜通过过孔与 PCB 地平面相连。经过修改后的测试结果频谱图如下,从图可以看出,辐射发射有了明显改善。

2 h& L6 y# ^, e
- R8 c0 }  `6 I
思考与启示8 [. x% V% S: l, D
高速的印制线或器件与参考接地板之间的容性耦合,会产生 EMI 问题,敏感印制线或器件布置在 PCB 边缘会产生抗扰度问题。

- m7 l9 O0 c% n' A' q/ y如果设计中由于其他一些原因一定要布置在 PCB 边缘,那么可以在印制线边上再布一根工作地线,并多增加过孔将此工作地线与工作地平面相连。
" h3 Z: g3 L8 f9 ?, H1 U1 F$ }& M1 b
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