代换MDP1991场效应管，170N1F4A国产MOS管更适合UPS不间断电源用

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8 I$ k! l. M  H9 _9 g0 d9 g随着数字化、人工智能化的大时代推进，未来电力能源必然是核心竞争力的重要一环。如何确保电力能源的持续不间断，UPS不间断电源正是其中重要的产品之一。
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0 E- W8 }/ V" ^+ f" r比如说医疗行业、军事、电信和金融等行业都是需要依赖持续供电且无法承受停电的行业，因此UPS不间断电源的产品质量显得尤为重要。

而对于UPS不间断电源的生产研发厂家，今天飞虹半导体的工程师可以给出的建议是170N1F4A来代换MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7、SVG104R0NT等型号参数的场效应管来解决元器件的应用问题。

: M6 ]) G1 I2 a" C/ i! a为何是选用170N1F4A来代换MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7、SVG104R0NT等场效应管呢？这是因为这一款封装为TO-220封装的MOS管是广泛使用在UPS不间断电源中，得到电源厂商的认可，而且它的100V电压、172A电流参数也是很适合使用在UPS不间断电源中。

具体的产品参数我们再来复盘一下：
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! k7 L1 ^, G+ a8 s% ?: [具有172A、100V的电流、电压， RDS(on) = 4.4mΩ(MAX) @vgs = 10 V，RDS(on) =3.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V，最高栅源电压@VGS =±20 V。
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7 y; ]% F: q% S9 D. ^0 p% l* S170N1F4A是一款N 沟道增强型场效应晶体管，TO-220封装大小适合电路。

这款产品还具体参数值为：Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。

! Z$ V% ~( x' [  x$ K最大脉冲漏极电流（IDM ）：480（A）、反向传输电容：33pF。

& {* U) _$ r. F# k' b/ S正因为该MOS管的上述参数，让开关速度快，低 Crss (典型值 33 pF)，因此可以减少能量的损耗，从而进一步提高UPS不间断电源的工作效率，确保质量稳定。

" ?9 a' Z* ~+ @% \+ r$ B) v如果需要选择强大的电子元器件的供应链厂家来保障。建议了解飞虹国产型号：170N1F4A型号参数来替换MDP1991、HYG045N10NS1P、HYG042N10NS1P、IPP045N10N3G、STP150N10F7、SVG104R0NT等型号来应用。
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  b% h* `* r) ~/ R172A 、100V的MOS管替换使用，选对的型号参数让企业产品力up。

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MOS管正常工作时能够承受的最大电压，超过这个电压可能会导致MOS管损坏。