本帖最后由 criterion 于 2024-11-27 00:09 编辑
5 O& j% h& ~8 O
' R/ P5 h5 ]8 i7 c4 Z先查看 MCU的电源跟晶体 是否有透过落地电容共地 有的话 拔电容试试 ' y/ b6 I5 h- X* w. J. }
* I3 u% L: |2 I; E' M% Q
一般而言 32.768k是很低频的讯号了 其谐波会去干扰到射频讯号的机会很低 所以 分布在主频信号的两边的杂散 不是晶体谐波 而是交互调变 , O+ b6 }0 m9 U; V
! \! l8 X2 |* G8 a% A( o: X# D4 h
6 P8 d0 V Z) b+ C$ c
6 f: n- \6 j9 X8 i
" G' b" O$ w2 D6 l5 W/ W如果32.768kHz 透过共地 窜到落地电容 再流入MCU
+ @; w! g, {1 Y! \4 C) \2 F8 h, @( e跟RF主频 产生2阶交互调变
1 ^) z4 e5 E( l) w$ S* B/ R(RF +- 32.768kHz)8 \; }; K$ T5 m
就会出现你所说的
& k$ Q4 N" C' ^7 k0 x5 N1 T: A# p- _“杂散分布在主频信号的两边”
( F( g9 |" H8 M" s% g6 r$ u0 k9 p$ {8 O7 L
! Z- X G, F5 z6 t% j8 x8 S要验证的手法也很简单 你把RF信号的功率调小
1 S$ |2 q' S, k$ \1 w看杂散是否也跟着变小
3 A; ~. x, _- n) L+ E' b- ?如果是 那就八九不离十了* @2 u! T S1 Z; V" l8 w& C
因为交互调变的功率 会跟RF信号功率 有连带关系+ j. M) p* y5 O( d# l
/ f# e" X8 c. b+ x W% d9 y( x7 p4 H. j1 G, [
( G: b1 F7 R; @4 L) l此时可能有人会提出两个疑问5 N( e y+ d$ ?
/ [; e) S" u2 F第一个疑问 电容不是隔直吗?& f- h, c7 h! Z. O6 v! t+ a4 N
32.768kHz这么低频讯号 怎么可能流得过电容?6 U8 X) F2 Q- I$ ~3 w
7 z. ~8 C3 ^2 K; t. s
答案是: 当然流得过 只要电容值够大
- y. p, \6 z6 L5 t! R0 j7 T% T4 v来做个仿真 u7 F; e- r& }/ ]; O
/ t# ^2 C2 N5 s. A p
9 k4 o6 o3 H6 y
' O$ o& C5 i$ o0 L) Q, ~3 D9 }3 M2 T7 V% ]
( v. N3 j6 I5 e. T# m0 m3 p( F* }* q' T
8 A' x2 q* B$ T
6 r0 z+ A8 ?: q6 c0 ? c( ~
该1uF电容 对于直流讯号 当然有隔直作用
0 l# n. s, N, K9 F8 |% ~但是 32.768kHz的讯号 终究不是直流讯号* c: p- @# Z+ @
只要电容值够大 其谐振频率够低 意味着低频范围的阻抗很低% j. L$ G3 C2 |
对于极低频讯号 几乎无抑制能力 那当然就流得过& @2 U$ v$ j9 G; o) n
2 j O3 X" }- d- {
* t* J0 o4 s1 _. ~% G4 ?* q
第二个疑问 任何讯号 包含噪声8 s, R, K/ X& m. F& ?5 }! r0 N
肯定是高阻抗流向低阻抗( }+ L7 V9 Z( F) p) B9 b
怎么可能会从GND逆游而上 流到电源走线?$ W$ l; ~% B" N M, W: f* }: [& Y
5 j+ p1 I& J8 ~4 x2 U6 G$ H Q: S5 P
答案是 如果GND的阻抗 比电源走线还高 那就有可能了' ^2 V! v7 M2 ]' x9 ^
4 W( M( B7 K; _3 r$ N5 t. S
& j5 ]1 T- t1 e6 v
5 X7 }6 k9 }, P0 ]
) A- e, s9 B4 c5 k q, R首先分析电源走线的阻抗 在走线放落地电容6 ~7 @. |. o. t1 b, U( `3 _
等同加大了该走线的电容性 依照阻抗公式
- N6 k6 A3 g3 D% ?. ]
+ Z4 U2 Y$ M7 ?- L% l
$ _7 r: U4 q# a/ ?% H' o0 f/ _
/ S% B. I0 t8 v' {
) h& x: ~1 q* x! v2 @+ Z4 o
/ z/ E* r, M/ _( U5 g* O: F9 e4 \0 E电容性增大 其阻抗就降低+ p# l" y. |7 F7 R1 }+ g W
如果是uF等级的大电容 阻抗就降更多- Q) h2 ~: r0 Z1 N$ p
/ B' Z' y; p- k; A1 N3 Y+ W8 i* _( _5 r0 D% d; G6 X* \' P
再者 电源走线 通常会有多颗落地电容并联
1 f! v. r0 o+ c9 H8 b而电容是越并越大6 Z" R8 a* V6 y' z( N* Q: Z
C+ v7 n3 Z2 |* L1 y( o
$ Z1 s; u s! s3 v% V# t& d6 ?
" I4 [3 ?3 H# T8 o3 \! W. a1 e: X h8 |: c1 [( O4 | N2 ]
% i$ y6 |" X( S" w
如此又更进一步 大大降低了电源走线的阻抗5 f, F/ Y) H2 U1 x! y2 |. v4 T0 N
" s$ T% G' Z' Z再来分析GND的阻抗 很多时候 碍于Layout空间限制
3 M2 c0 ]% R* ?5 Z/ P. F; \: b+ W3 H很可能GND是极为零碎的 且面积也不大
. T$ E- h6 X% |- h3 ]" G同时又因为面积不大 所以无法打太多地孔6 [5 K) \7 B* J3 l9 g( K2 b x. G
这些情况加种下 就会导致GND的阻抗 其实不如想象的低! C8 J9 _2 E& A; f; S. U6 }& q
甚至有可能比电源走线还高
# W- R) h) G. C6 G7 j2 U3 f如此一来 噪声从GND逆游而上 就有可能发生, a/ K9 `3 b7 x4 d y; C
7 c9 R8 }# A t; s5 Z! c( _0 x# C
因此 一开头才说 拔电容试试2 m6 h n% ~ Y
3 A" Q- h6 Q3 R' }. t7 o4 q! o% F2 ^0 _5 x( q3 A& x* a' \+ H
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