PDN仿真时，提取Z阻抗过程中，如何处理串联电感/磁珠的问题

yzzsjc088

请教各位大神，在进行PI仿真时，电源芯片输出电压端口到mcu端电压输入端口串联电感/电感的情况下，有如下疑问：
3 j& ^7 S4 r6 S8 q8 Q3 M4 \
' v* u- L% H# P* Y$ J! K8 C0 h1、针对VCC_1V2_MCU进行PDN阻抗仿真，是否应将VCC_1V2及其并联的电容，串联的电感L的影响考虑在内？
) e* O5 L) C# }' L7 Y2、若考虑电感L的影响，使用siwave进行仿真，只能针对单个net进行PDN阻抗提取，目前提取的Z阻抗对应的net是VCC_1V2_MCU，那么电感该作如何处理，才能提取从VCC_1V2经电感到VCC_1V2_MCU整体Z阻抗。
( ]1 A/ @: o( `' v! E谢谢
# ^9 k$ X( U+ z0 H- H( m# j" s, J
* x$ K5 ^. L; b3 C- G/ ?

EagleJi

蹲个楼，共同学习一下。

hhh虎次郎

这么大的电感，不需要考虑进去；

dydhsnn

一起学习一起学习一起学习
7 x; c5 |) ^5 u; j4 {" L  d. Z

yzzsjc088

hhh虎次郎 发表于 2023-12-5 10:54
# c- g. ^: X  G# y这么大的电感，不需要考虑进去；

6 a- t5 r' \, q, h9 p$ C3 j- X你好，那如果换磁珠呢，又如何考虑，再比如串联零欧姆电阻。
重点是中间有串联的无源器件时，两边的net名称不一样，SIwave如何提取整体的Z阻抗，谢谢

bbbaiye

Good question~

mggimg

你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的

yzzsjc088

* z' e, I* z& r7 P" t, w

mggimg 发表于 2023-12-6 11:31
你把这个器件的值或模型附上，仿真它会考虑进去的

7 o2 R2 C: N) ^* z7 Z2 A) O无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
另外我在siwave软件里面把这个串联器件设置deactive，得到的Z阻抗曲线也没变化。
因为port端口是以net名称来建立，而电源网络被串联器件隔断了，两边net名称不一样，感觉应该有地方需要设置一下两边的net，才能提取整体的阻抗。

mggimg

yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:09
7 m, K1 Z. `3 y  a无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
8 S2 l/ W7 x( a, W5 B( n- \另外我在siwave软 ...

: b* L, `$ n- X# U  E说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响
, _  {$ w8 C$ y( n2 l

mggimg

yzzsjc088 发表于 2023-12-6 13:09
无论我按零欧姆电阻赋值，还是给这个串联器件赋S参数模型，得到的Z阻抗曲线没有变化。
* @0 r. ?% L% B% ^! r0 [6 v另外我在siwave软 ...

你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别
  y6 u0 B6 h/ ~2 R* O3 i; ~3 P

yzzsjc088

mggimg 发表于 2023-12-6 17:15
* l7 Y/ Q5 M! B' S说明这个器件前端的东西对这个仿真结果没有影响

" q  h% l7 ^$ ?4 d不可能一点影响也没有吧，即使影响再小，Z阻抗曲线不至于完全重合。
而且重点是SIwave软件里面，建port口是以net名为依据，对于串联器件两端不同的net，siwave提取阻抗时候如何识别为一个整体？
从结果来看，更像是没有把串联器件两端的net识别为一个整体区提取阻抗，所以才导致前端的电容对结果没有影响

ximencuocuo0517

9 P' F* w5 }/ F7 }8 R2 u给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁珠两端网络建成1个group

yzzsjc088

mggimg 发表于 2023-12-6 17:22
你可以试着对电感后面的电容全部不使能，使能电感前面的电容，然后再仿真使能电感与不使能的区别

对于1MHz-100MHz区间的Z阻抗没有区别，对kHz低频级别的Z阻抗曲线有点不一样，还是有有点区别，谢谢！

yzzsjc088

ximencuocuo0517 发表于 2023-12-20 08:34
给用电端芯片建pin group时，同时勾选磁珠两端网络，options中不勾选creat pin groups for etch net，将磁 ...

你好，这种模式相当于把磁珠两端net名当一个来考虑，不能给磁珠赋S参数模型。我之前不太明白的是我以用电IC芯片与磁珠相连的net建port，然后直接给磁珠赋S参数模型，SIwave计算Z阻抗，会不会直接把磁珠视作串联器?会不会磁珠前面的电容也考虑进去? 看楼上那位朋友回复的建议处理，好像直接给串联器件赋S参数模型，SIwave会把串联器件之前的电容考虑进去。
谢谢

xxxsq

直接赋S参数就行么，不需要设置XNET么
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