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求助:关于mos管发热问题

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1#
发表于 2012-6-19 17:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
各位:  A+ w1 l- f. [! o/ M% ~
) J" J$ g3 `7 r0 @) V+ S+ ?5 P
最近按照要求画了块板子,但调试时发现mos管烫的厉害,根本无法常时间工作。而且波形幅度值只有8V左右,请问如何解决发热问题,并提高波形幅度。
; ^8 F% ]" v  B/ ~7 K. X原理图如下
9 V2 Q* m: V8 x' t; X

123.png (153.04 KB, 下载次数: 3)

123.png

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2#
发表于 2012-6-19 17:57 来自手机 | 只看该作者
是贴片的吧!加大散热铜皮,如果是立体,在允许的情况下,加散热片吧!

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3#
发表于 2012-6-20 11:10 | 只看该作者
加大散热铜皮同时多打地孔

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4#
发表于 2012-6-20 12:31 | 只看该作者
本帖最后由 romantic878595 于 2012-6-20 12:34 编辑 ) F! i% V7 |) A
9 }" o7 T; {  U9 z
1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应降到1M以下。
. k- i+ _( d' c4 F" K2 ,选用低开启电压的MOS管,也就是所谓的逻辑电平MOS管。如果你用普通的MOS,要求10V的驱动,你的驱动IC只有5V,驱动不足,造成导通电阻大。
3 D" T2 p# M* Y5 F) W3 尽量选用低导通电阻,低Nc值的MOS管
8 l  D8 q  B3 y* L* Y( O4 加强MOS的散热。  T/ q+ R5 i# L2 G6 Y; K% F
5 在电感线圏处并上防止反向电动势的二极管。% |5 F8 g! @# p! N1 r1 |
6 加强IC的电流驱动能力,HC00还有一个门没有使用,应把他们的输入并联,输出通过一个驱动电阻(约10R)后,然后并联.
( M2 D, u/ O" ]; X+ I) p) D4 M

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5#
发表于 2012-6-20 15:13 | 只看该作者
4楼说的全面!!

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6#
 楼主| 发表于 2012-6-20 15:40 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31
9 R4 [# \2 D* B1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...
* G- m# u8 i& B- D$ P
十分感谢你如此详细的解说

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7#
发表于 2012-6-20 21:43 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40
/ o) }3 Q; H- e) x! c6 p十分感谢你如此详细的解说
: V1 ?/ B! B  y
不客气。论坛精神,我为人人,人人为我,相互学习,共同提高。感谢EDA365.

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8#
发表于 2012-6-21 10:49 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40 9 s( S4 H* s3 a. w
十分感谢你如此详细的解说
1 Q. ^9 y" k7 W! x8 G
问题解决没?

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9#
发表于 2012-6-23 00:22 | 只看该作者
xhymsg 发表于 2012-6-21 10:49 ; O- o9 y  q- K# k+ @6 O
问题解决没?

7 D$ x- l" K+ ?1 N' V- w就是啊,问题决解了

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10#
发表于 2012-6-25 10:38 | 只看该作者
MOS极性接对了吗? 应该是个NMOS,图上画的却是个PMOS

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11#
发表于 2012-6-26 23:16 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31 0 X7 S* `  o2 L0 a. J$ w3 I$ W8 G
1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...
6 [4 i# y, M, Y* }8 Y
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