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本帖最后由 romantic878595 于 2012-6-20 12:34 编辑 1 j9 n" g: R; ?- ?' K0 a a, C
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1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应降到1M以下。
- e/ O0 m, L- @; k+ k4 \2 ,选用低开启电压的MOS管,也就是所谓的逻辑电平MOS管。如果你用普通的MOS,要求10V的驱动,你的驱动IC只有5V,驱动不足,造成导通电阻大。5 L& e f% N, E8 _' K% ^/ t3 z1 e
3 尽量选用低导通电阻,低Nc值的MOS管
' f& H3 m# f$ K8 M( O/ q! l2 |4 加强MOS的散热。
9 b$ _1 T" O. T- {1 A5 l- W5 在电感线圏处并上防止反向电动势的二极管。7 U$ X9 [( I6 f X( C3 y. y) b, `
6 加强IC的电流驱动能力,HC00还有一个门没有使用,应把他们的输入并联,输出通过一个驱动电阻(约10R)后,然后并联./ K! t0 y; j! l! Z$ Y2 }' A
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