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求助:关于mos管发热问题

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1#
发表于 2012-6-19 17:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
各位:
2 o5 k6 S2 m4 y! X5 d2 |0 ?) `0 I0 p
最近按照要求画了块板子,但调试时发现mos管烫的厉害,根本无法常时间工作。而且波形幅度值只有8V左右,请问如何解决发热问题,并提高波形幅度。
- s. B' {: |1 Q3 ~% ^原理图如下% \9 l. l  J" N- Q: G/ L

123.png (153.04 KB, 下载次数: 2)

123.png

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2#
发表于 2012-6-19 17:57 来自手机 | 只看该作者
是贴片的吧!加大散热铜皮,如果是立体,在允许的情况下,加散热片吧!

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3#
发表于 2012-6-20 11:10 | 只看该作者
加大散热铜皮同时多打地孔

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4#
发表于 2012-6-20 12:31 | 只看该作者
本帖最后由 romantic878595 于 2012-6-20 12:34 编辑 1 j9 n" g: R; ?- ?' K0 a  a, C
& d4 q+ m  a, ?9 u+ \
1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应降到1M以下。
- e/ O0 m, L- @; k+ k4 \2 ,选用低开启电压的MOS管,也就是所谓的逻辑电平MOS管。如果你用普通的MOS,要求10V的驱动,你的驱动IC只有5V,驱动不足,造成导通电阻大。5 L& e  f% N, E8 _' K% ^/ t3 z1 e
3 尽量选用低导通电阻,低Nc值的MOS管
' f& H3 m# f$ K8 M( O/ q! l2 |4 加强MOS的散热。
9 b$ _1 T" O. T- {1 A5 l- W5 在电感线圏处并上防止反向电动势的二极管。7 U$ X9 [( I6 f  X( C3 y. y) b, `
6 加强IC的电流驱动能力,HC00还有一个门没有使用,应把他们的输入并联,输出通过一个驱动电阻(约10R)后,然后并联./ K! t0 y; j! l! Z$ Y2 }' A

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5#
发表于 2012-6-20 15:13 | 只看该作者
4楼说的全面!!

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6#
 楼主| 发表于 2012-6-20 15:40 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31
" l' X7 \4 u* }  Z6 \1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...

! V0 u4 q( s7 B5 M1 n& W/ Y1 Q' i十分感谢你如此详细的解说

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7#
发表于 2012-6-20 21:43 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40 2 ]! J3 b! ~' k- J
十分感谢你如此详细的解说

. t2 |& L+ _: m( f不客气。论坛精神,我为人人,人人为我,相互学习,共同提高。感谢EDA365.

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8#
发表于 2012-6-21 10:49 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40
5 j6 @* t: O! W4 B* e. N( g, ?8 f十分感谢你如此详细的解说

8 S# c% N, g3 C2 n问题解决没?

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9#
发表于 2012-6-23 00:22 | 只看该作者
xhymsg 发表于 2012-6-21 10:49
9 Y# R% A; G% n( P问题解决没?

6 I: @3 ]# @/ A1 x, R6 E; v就是啊,问题决解了

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10#
发表于 2012-6-25 10:38 | 只看该作者
MOS极性接对了吗? 应该是个NMOS,图上画的却是个PMOS

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11#
发表于 2012-6-26 23:16 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31
6 {% E4 X: ]5 T' v' j' v0 f- \; ~1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...
4 x* D, E0 V+ ^9 F$ J0 N
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