同步整流的技术提升效率，而FHL385N1F1A场效应管提升电路下来

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从电子设备到智能电子的使用，设备的增加固然是提升人们生活的便捷性。但对于能源的使用效率来提升产品质量以及降低能效始终是电子工程师在追求的事宜。比如同步整流的技术就是可以将产品的效率提高，从而降低功耗。
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在实际的同步整流电路的研发生产中，值得我们注意的是，MOS管作为其中核心电子元器件，我们一定要选择优质的MOS管才能进一步脱颖而出。
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2 R/ _1 C1 G- d在市场中IPT015N10N5作为之前常用的国外型号，在国内已经有比较好的国产替代，它就是飞虹半导体的FHL385N1F1A型号场效应管。

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为何？因为FHL385N1F1A型号场效应管具备以下特点：
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' ?% D2 s6 j- \" B% a' B1、低导通内阻：使产品支持更小的阻抗和更大的峰值电流。
) O' x8 U" ^# w; S% i  V2 O2、100% EAS测试，使产品可靠性有数据参考
3、100% DVDS热阻测试（更低的热阻，带来优异的温升表现）
9 `* [  u) T9 m  W4、100% Rg测试，验证产品的稳定性
5、工业级的可靠性能：封装电感小，带来出色的EMI特性和可靠性。

场效应管需要安全、稳定、可靠，不仅仅说性能，对于供货也是非常重要的。这一款工业级的385A、100V电流、电压的FHL385N1F1A场效应管型号参数是很适合使用在同步整流电路中。
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+ e6 Q; o1 F4 R使用过飞虹这一款MOS管的电子研发工程师都了解这款优质FHL385N1F1A国产场效应管的详细参数：其具有385A、100V的电流、电压， RDS(on) = 1.5mΩ(MAX) @vgs = 10 V，RDS(on) =1.3mΩ(TYP) @VGS = 10 V，最高栅源电压@VGS =±20 V。

FHL385N1F1A是一款N沟道增强型场效应晶体管，FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形，其封装产品具有低热阻、低寄生电感、低封装内阻、小体积等特点。
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  n. G8 o$ i% J; B  B3 IFHL385N1F1A的具体参数值为：Vgs（±V）：20；VGS（th）：2.0-4.0V；ID（A）：385A；BVdss（V）：100V。

. X7 F! V% W+ ~: j8 f; \) Q反向传输电容：940pF、静态导通电阻（typ）：1.3mΩ、最大脉冲漏极电流（IDM ）：1540（A）。
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& }0 [- M0 |- x# n- q0 X6 I越智能化的时代，需要性价比高的场效应管。在国产化MOS管替代产品建议可以选择优质的FHL385N1F1A场效应管代换IPT015N10N5参数型号用于同步整流电路。

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能申请样品吗？