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楼主: beyondoptic
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[Ansys仿真] SIwave 学习求助贴

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该用户从未签到

31#
发表于 2012-8-4 12:14 | 只看该作者
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-8-4 12:17 编辑
8 I9 H! u4 S- f# d& Y/ |
beyondoptic 发表于 2012-8-4 11:36 0 @0 v( }3 J* }/ Z7 y2 G4 c
这个观点我有点不同意,应该说软件在求解的时候整个结构都做mesh,但是提取S参数只是port之间的。
$ s: q4 ~% c( S( i至少有一 ...
, ]# G/ v; _, z) Q$ V2 n. O

; K$ `( f# S. B' `8 X/ T( {PORT只是说在导体和参考平面之间加了一个激励,它并不能保证所加信号在传输过程中产生的场一定限制在导体之间,一旦周围有其他的导体结构,则其他导体和原传输导体间由于电场或者磁场的耦合会感应出电流,最典型的就是串扰,其实就是传输信号能量的一种损失方式,你可以做一个试验,一对耦合线1000mil左右(尽量保证单根在50欧左右用来消除回损对结果的影响),一根线两端加PORT,还有一根悬空,然后提取S参数,看看S21会有什么现象,这个结果再和只有一根线加PORT然后跑S参数做一下对比。可以比较得出旁边有导体结构对提取S参数有没影响。

该用户从未签到

32#
 楼主| 发表于 2012-8-4 12:40 | 只看该作者
我试了下,是有差别的,我在过孔哪里设port应该是包含过孔的,我刚刚有把孔删掉,只留线。结果和先前还是比较大的。

该用户从未签到

33#
发表于 2020-1-14 10:59 | 只看该作者
好   感谢,忠心感谢
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