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在MOS管的D和S之间串联RC电路

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QWE4562009

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1#
发表于 2023-6-3 13:38 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在MOS管的D和S之间串联RC电路: v& `% f! q" o3 U6 D0 o
# O9 d2 ]" \3 \5 m( f/ R- X
在MOS管的D和S之间串联RC电路是为了吸收D和S之间电流发峰值吗？减小D和S之间的电流或者电压应力？

9 d/ u" [9 `# V, E

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QWE4562009

该用户从未签到
2#
 楼主| 发表于 2023-6-3 13:42 | 只看该作者
RC的值如何取呢？

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菜鸟001
  • TA的每日心情
    衰
    2022-5-11 15:11

    • 签到天数: 162 天

    [LV.7]常住居民III
    3#
    发表于 2023-6-7 08:26 | 只看该作者
    你可以参考继电器触点保护要求：
    ' O) T3 c3 ^$ v3 p1 A' }* R8 v  EC：触点电流1A对应0.5～1（μF）+ F9 i7 O; ]* F' _1 h  S: ]+ W
    R：触点电压1V对应0.5～1（Ω）

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    匿名网友哟

    该用户从未签到
    4#
    发表于 2023-6-8 08:55 | 只看该作者
    并联还是串联？？？？？

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    KIRITOJ
  • TA的每日心情
    开心
    2024-1-31 15:41

    • 签到天数: 6 天

    [LV.2]偶尔看看I
    5#
    发表于 2023-12-8 16:00 | 只看该作者
    吸收尖峰电压的

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    aesther1
  • TA的每日心情
    慵懒
    2025-6-4 15:30

    • 签到天数: 136 天

    [LV.7]常住居民III
    6#
    发表于 2023-12-13 09:13 | 只看该作者
    走方波的化，其实有没有问题不大的

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    咿呀咿呀咿呀哟

    该用户从未签到
    7#
    发表于 2023-12-13 15:53 | 只看该作者
    MOS管 碳化硅 氮化镓 IGBT原厂，微信同步：18923830106

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