“双一流”西电携手电巢，揭秘碳化硅功率器件技术！

电巢直播

21世纪注定是人类“光速”发展的时代，科技浪潮快速发展，5G基站、汽车电动化已成为
当今现实生活中不可或缺的重要组成部分，面对日益增长的需求，电子系统的高效率、小型
化和轻量化迫切需求，而碳化硅功率器件刚好具有耐高压、耐高温、低损耗等优良性能，完
美解决当下的需求。

为进一步促进集成电路人才培养，4月20日15：00，陕西半导体先导技术中心开展“树芯
9 |: ^7 e$ }9 y- M! Q计划”大讲堂系列公开课，为理工科高校在校生、在职人员分享行业前景、发展方向、职业
发展等热点问题。届时，电巢科技、西安电子科技大学和陕西半导体先导技术中心就《碳化
硅功率器件技术发展现状及几点思考》主题展开线上直播，本次演讲由张玉明博士出席。
张博士分别在清华大学、西安电子科技大学和西安交通大学获学士、硕士和博士学位，美国
" T+ J8 N' |5 P1 l: ?0 fRutgers-新泽西洲立大学博士后。现任西安电子科技大学微电子学院院长，西电芜湖研究院
院长，“宽带隙半导体技术”国防重点实验室主任。长期从事新型半导体器件和集成电路方
! _9 T' C) w+ k面的教学和研究工作，承担多项国家自然科学基金、国家重大专项、重点研发计划和国防科
& J8 R+ n+ p7 H8 V! D$ E& A技项目，发表论文200余篇，已获授权发明专利37项，美国专利4项，获国家奖两项，省
部级奖四项，在业内拥有着权威性的广泛影响力。
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( O# G- n- i8 _0 z8 J% z+ x近年来SiC功率器件的发展迅速，成为研究机构和产业界最为关注的热点之一，且SiC半导
2 l- D5 D+ u7 a# J4 J7 T6 u! j# f体功率器件战略意义重大，世界各个国家和地区均在努力推进发展该工作。过去20多年中，
西安电子科技大学宽禁带重点实验室一直致力于碳化硅功率材料和器件关键技术的开发，本
5 j0 B; E  ]4 v" h) \次活动结合实验室的主要研究成果，期待与广大相关行业人士进行深度探讨及分享，主要方
5 _# a/ T- |8 G2 h向从碳化硅材料和器件研究的历程出发，分析该类器件关键的技术特点和难点，介绍国内外
碳化硅功率MOSFET的发展趋势和现状，以及所面临的挑战，对于SiC功率器件的发展中存
/ ?+ ^( d" l0 c在的问题，和未来发展给出几点思考。
谈及未来的发展，电巢认为技术发展就如达尔文进化，它选择的永远是人类需求更多的方向。
就如这次电巢和西安电子科技大学的合作，通过发挥双方的资源优势，携手为更多电子领域
的从业者带来专业性的知识科普，充分发挥科技手段新形态的优势，致力为电子行业的全方
& Q: C: C) G8 X) Q位、多元化的数字化营销新模式而做出努力。
电巢作为本次活动的协办方，深知随着科技发展的日新月异，碳化硅作为未来电子工业领域
的“钥匙”，承担着十分重要的职能，只有朝着不断探索的方向前进，未来的蓝图才能牢牢
3 H& ?; W1 n# E掌握手中。

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