DDR基础知识

王者和马123

ROM-Read-Only Memory,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器，其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。

RAM-Random Access Memory,随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写，通俗来说就是可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。

RAM又分两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，也就是说加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失。SRAM速度非常快，是早期读写最快的存储设备了，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的内存需要很大的体积，且功耗较大；同时它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓存，二级缓存。

另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM 只能将数据保持很短的时间，为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失（关机就会丢失数据）；它的速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

SDRAM又是在DRAM的基础上发展而来，同时也是属于DRAM中的一种。SDRAM即Synchronous DRAM，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部命令的发送与数据的传输都以它为基准；

DDRSDRAM又是在SDRAM的基础上发展而来，这种改进型的DRAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。DDR的演进路线如下表所示：

版本	规格	协议标准	日期	Core电压 (V)	VDDQ电压(V)	速度(Mbps)	工艺	单颗容量
第一代内存	SDR SDRAM	: J, i% N. B0 f9 |& j/ a6 U		3.3		100  - 200	50nm	256Mb
第二代内存	DDR  SDRAM	JESD79F	2008	2.5		200  - 400	50nm	512Mb
第一代移动    低功耗内存	LPDDR	JESD2098	2010	1.8		200  - 400	50/30nm	2Gb
第三代内存	DDR2  SDRAM	JESD79-2F	2009	1.8		400  - 800	50/30nm	2Gb
第二代移动    低功耗内存	LPDDR2	JESD209-2F	2013	1.6		200  - 1066	25/20nm    ' Q2 m! H/ G" X& d3 P8 y	16Gb
第四代内存	DDR3  SDRAM	JESD79-3-2	2012	1.5/1.35	1.5/1.35	800  -1600	25/20nm	8Gb
第三代移动    低功耗内存	LPDDR3	JESD209-3C	2015	1.2	1.2	1333 - 1600	20nm	32Gb
第五代内存	DDR4  SRAM	JESD79-4A	2013	1.2	) ]' X2 |) E. X. H+ z3 Y	1600  - 3200	20/1x	16Gb
第四代移动    低功耗内存	LPDDR4	JESD209-4A	2015	1.1	1.1	3200  - 3733	1x  nm	64Gb
	LPDDR4x	JESD209-4-1	2017	1.1	0.6	3200  - 4266	1x  nm	64Gb
第六代内存	DDR5	/	2020	/		3200  - 6400	0 E0 N4 T# n6 `2 H0 w( j	64Gb
第五代移动    低功耗内存	LPDDR5	JESD209-5	2019	1.05/0.9	0.5/0.3	3200  - 6400    2 ^# }; \2 s$ \; d# G- y	1x  nm    5 S! H1 G( a7 g	128Gb
	LPDDR5x		2022		$ `" k: M' Z! H" ~7 a& @2 T	8500	1x  nm	6 E+ w1 S/ k5 t! S) N8 k3 ^  M

. n3 I* m- k: a7 I2 {. |; Q

Quiescent_521

DDR应该怎么选型