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LDMOS和GaN各有什么优劣势?

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发表于 2022-10-28 10:14 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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LDMOS和GaN各有什么优劣势?能理解成完全会是一个时代替换另一个时代吗?7 X) {4 l( N- Y, A2 B: i& f" E

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2#
发表于 2022-10-28 13:06 | 只看该作者
AiRFast LDMOS功率晶体管提供了稳定性、增益和耐用性的完美结合。
) _# m9 U. r& ?) Z8 q* F' ^Airfast GaN器件主要面向多频带应用,减少了对大型、复杂甚至是多个无线基站需求/ E. Y- |2 Q, R

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3#
发表于 2022-10-28 14:58 | 只看该作者
在基站应用中,主要用于增强射频信号的PA有两种技术路线,一种是采用硅工艺的LDMOS(Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor,横向扩散MOS)技术,另外一种是基于三五族工艺的氮化镓(GaN)技术。GaN技术性能比LDMOS更好,非常适合5G高频应用的需求,不过价格相对更贵,而且在制造上还有一些难度,导致其产能有限。LDMOS技术稍显陈旧,有其局限性,但市场仍有需求。
0 G( N3 s% G1 D. O6 g

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4#
发表于 2022-10-28 16:33 | 只看该作者
GaN晶体管的栅极长度一般在1微米及以上。当然有些厂商在开发90纳米及以下的工艺;
# O( z+ H4 c9 |8 D, y( o
4 C0 I5 L% o/ i4 r/ g/ \GaN厂商正在从4寸晶圆线(100mm)向6寸晶圆线(150mm)迁移,以降低成本。2 T7 l; J) r1 L
. r5 i0 Z7 ]% G0 e
大多数射频GaN器件使用碳化硅(SiC)衬底。但也有数家厂商正在研究更有竞争力的硅衬底GaN。: w" ~. e' y- P- O
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