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楼主: sunuy
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[Ansys仿真] 关于SIWAVE 5.0 自动放电容PI Advisor的使用问题

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16#
发表于 2012-5-4 08:37 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-2-6 19:47 * f+ C# O# Z3 Y
就一张图片,说不清楚啊,看情况貌似是目标阻抗没设置好啊
: G" [' D9 q; B- i

3 q5 h. h6 w$ ]; t请教一下yuxuan51,关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?

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17#
发表于 2012-5-4 09:02 | 只看该作者
beyondoptic 发表于 2012-5-4 08:37 " W+ S3 {3 `+ L6 c+ W/ [: w
请教一下yuxuan51,关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?

, j' K3 Z9 s5 H9 ~2 X那个只是个示例,最终还是需要根据实际buffer的工作电压与信号翻转时所需的最大电流来确定

该用户从未签到

18#
发表于 2012-5-8 10:26 | 只看该作者
也请教一下yuxuan51版主~~
4 T1 A4 D  [9 I4 G4 a9 r2 k+ i最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么?貌似很难找到计算目标阻抗的实例啊。。我列举点数据,能不能教大家算一下?
1 l4 x3 _3 _5 D* J/ X. @1 G5 j! lDDR3 DRAM datasheet 中
% `, W! x$ J/ v/ D$ G           Parameter                                            Symbol                       Max: _; R. Y& \* s1 g8 h( {
Operating current (ACT-PRE)                              IDD0                        65MA
4 [! D' ]6 S, d5 G+ ^7 |Operating current (ACT-READ-PRE)                      IDD1                        80MA- H! L. P, {$ q. T
Precharge power-down standby current               IDD2                        35MA& a" m+ k2 d4 K$ Q/ c+ N7 {
Precharge standby current                                  IDD2N                      45MA
: e+ P& {) C& y+ KPrecharge standby  ODT current                          IDD2NT                    45MA( }- y1 ]6 u6 ~+ P3 F
Precharge quiet standby current                          IDD2Q                      45MA
* Y# P: H& r8 X" GActive power-down current(Always fast exit)         IDD3P                      39MA
5 g3 ?9 \% S1 A. ^Active standby current                                       IDD3N                      55MA& i+ c2 H$ P. w6 s7 g  X3 a8 G- E. O
Operating current (Burst read operating)               IDD4R                      125MA. |, w7 j! V; }4 R# ~
Operating current (Burst write operating)              IDD4W                     130MA
% E" P7 _. w/ e$ E/ ^Burst refresh current                                          IDD5B                       250MA
* r* d  ^- K! `# B  @  tAll bank interleave read current                            IDD7                        210MA1 B0 R! s: H; U
最大电流按250mA * 0.5 算??! g0 o: h, j. |
另外,一条板子需要8个DRAM颗粒,这样的话是不是电流还要乘以8?6 i" D% W& p. C3 g0 Y
先谢谢~

该用户从未签到

19#
发表于 2012-5-8 11:27 | 只看该作者
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-5-8 11:28 编辑 $ w9 w. f5 i: ]6 q  h
picibi 发表于 2012-5-8 10:26
8 d) j# _$ S7 {8 U* {也请教一下yuxuan51版主~~
9 r1 l4 x9 s, f, f& b; y2 s最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么?貌似很难找到计算目标阻抗的实例 ...

% v& W5 \/ n. T: c6 n/ B' c4 ^0 }# ?1 [& W
5 ?# g0 ~: N( t9 S首先说明下,这个对电源去耦是针对每个电源管脚来说的,比方说一颗DDR2片子,它有好几个电源供电脚,每个电源供电脚可能负责几个buffer的供电,这个再IBIS模型的【pin map】字段里有说明,所以说我们只要针对某个指定的管脚来优化此处的电源阻抗就OK了: Q( w6 E8 X; A- y6 a% X

% o1 J  v8 y7 T9 w下面给大家提供一个利用仿真来计算Imax的方法,我一般都用这个来计算,要是有异议的地方大家可以提出来
$ }  T/ e2 q( u1 P! L7 n) F5 k% c- i, E
首先用这个方法必须拿到片子的IBIS模型, `* l  t* ]) l5 W. `
& y! L2 k( B5 u5 C+ {& X
然后找一个要计算电流峰值的电源管脚,知道它所负责供电的那些buffer,打个比方,我们找的这个电源管脚一共负责8个buffer的供电,然后在仿真软件里我们将buffer需要供电的pull up,power clamp节点连接一个DC源,并在他们之间串联一个电流表,如下图,给所有的buffer同一个激励,为了找到buffer翻转时的最大电流
1 v9 b# {( _# k8 e: e! w; S5 y& p5 |/ o
( v# D" i% C6 c5 g) f

$ L% S  I# X7 T- t, ~* L( E( M/ a7 {
! c) @. s5 b6 J0 |: J9 m

7 K% I) ~1 R/ T' o; Q6 u! v3 T* p3 m然后执行仿真,得到结果后查看电流曲线,可以在电流曲线上找到buffer翻转时的Imax值,下图) Y+ c8 _2 T) r8 ]9 ^/ ]4 U
. m" L- l; H4 n0 H+ A

3 ^- F6 H9 C. Z% d0 q. e- M0 U ( S. k% j' x2 y% O& H

1 q$ r8 C8 M/ j# y: ?# N+ @. ^/ I) E7 K* W. d3 M+ X
6 n6 {6 a5 J" C& o1 x; C

# J1 H1 c! n, B/ n8 @当然此方法必须要保证你拿到的ibis模型必须要正确的反应器件的特性,不然也就没有参考意义了
! G7 w& w1 t* r- `
4 M: @: ~" b  h& o( m7 Z

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20#
发表于 2016-3-29 17:13 | 只看该作者
ibis模型选择是信号管脚模型还是电源管脚。导入ADS后电源管脚模型没有了?
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