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典型的精密运算放大(运放)器可以有1MHz的增益带宽积。从理论上讲,用户可能期望千兆赫水平的RF信号衰减到非常低的水平,因为它们远远超出了放大器的带宽范围。然而,实际情况并非如此。事实上,包含在放大器内的静电放电(ESD)二极管、输入结构和其它非线性元件会在放大器的输入端对RF信号进行“整流”。在实际意义上,RF信号被转换成一种直流(DC)偏移电压,这种DC偏移电压添加了放大器输入偏移电压。% Y( f& C* b* K6 Z+ M
) M, U4 N3 k' e 用户也许会问:“对于由给定RF信号产生的DC偏移电压,我如何确定其幅度?”其实,放大器对RF干扰的敏感性取决于该放大器所采用的设计和技术。例如,许多现代放大器具有内置的RF滤波器,可尽量减少出现该问题的几率。该滤波器对低增益带宽运放而言是最有效的,因为该滤波器的截止频率可以设置成较低的频率,这能提供更高的RF信号衰减系数。除此之外,一些技术产品具有更强的内在抗RF干扰能力。例如,比起双极型器件,大多数互补金属氧化物半导体(CMOS)器件具有更强的抗RF干扰能力。输入级设计等其它因素也可影响抗RF干扰能力。
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考虑到所有这些因素,电路板和系统级设计人员应如何选择放大器呢?答案是:要看电磁干扰抑制比(EMIRR)。该技术指标类似于电源抑制比和共模抑制比,因为它在放大器的输入端将RF干扰的影响转换成DC偏移电压。作为一个例子,图1展示了OPA333的EMIRR曲线。从曲线可注意到,当频率为1000MHz时该运放具有120dB的EMIRR。这是非常高的抑制水平,使得直接把该曲线与其它器件的曲线进行比较成为可能。
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频率(MHz)
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EMIRR曲线展示了运放被传导的抗RF信号(该信号被应用到非反相输入端)干扰能力的测定值。术语“被传导”是指该RF信号被直接应用到使用阻抗匹配型印刷电路板(PCB)的运放输入端。此外,还对放大器输入端的反射进行了表征和说明。 & ?, t! n$ h- j8 G; n4 A4 V! S
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最后,用数字 万用表测量由RF信号产生的DC偏移电压。请注意,在放大器和万用表之间使用了低通滤波器,以防止由穿过放大器的残余RF信号引起的潜在错误。图2展示了用于表征EMIRR的测试电路。
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' Z) b& Z3 W. k. p4 d: R, P 用于表征EMIRR的测试电路 8 p! z1 y+ W% Z; I, E# b
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方程式(1)和(2)给出了EMIRR的数学定义。两个方程式互为彼此的重置版本。方程式(1)展示了所用RF信号和偏移电压的改变之间的关系。请注意所用RF信号的平方引起的偏移电压变化。这意味着入射RF信号较小幅度的增加可导致偏移电压的显著增加。还请注意,术语EMIRR的作用是减弱RF信号的影响;换句话说,较大的EMIRR(dB)可使偏移电压的变化大幅度减少。方程式(2)是在表征过程中用来计算EMIRR(dB)的方程形式。 ! h& S9 s# v, Y- P0 R/ X t+ A
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& c o; z% r" [* Y4 r6 c 其中
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EMIRR(dB) ——从被传导的RF信号处测定的电磁干扰抑制比(以dB为单位)被应用到非反相放大器的输入端 % S- C$ v8 `, [& X* R
|△Vos|——是测定的偏移电压(由RF干扰引起)变化
4 M# N x0 B# G* D, n VRF_PEAK ——是应用到放大器非反相输入端的峰值RF干扰
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7 I' _" Q5 [% R2 f3 O- G. v 最后,请注意许多其它因素,如PCB布局和屏蔽,也可影响用户系统的抗RF干扰能力。不过,一旦在用户的设计中优化了这些因素,使用具有良好EMIRR的放大器就可实现最佳性能。而且,用户无需进行任何复杂的计算。仅比较不同放大器的EMIRR曲线即可选择最适合用户应用的器件。笔者希望用户能利用EMIRR规范来优化用户系统抗RF信号干扰的能力。( u$ M( l2 d8 V4 K) W& b
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