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RF测试座和ANT ipex layout问题&功率测试差异

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1#
发表于 2022-10-9 10:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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最近遇到项目问题,TX POWER 测试,在RF测试座处和IPEX 座处功率差异,高频竟然查将近2dbm,两者之间只有一小段trace和一个L型匹配,将通路调至50Ω后,高频功率测试仍然差1.3dbm。
! }1 E9 U9 q) P
$ ^2 t! B" X) A; R请教一下高人,IPEX 下面 layout时候一般都挖几层啊? RF测试座下面也要挖空吗?
$ E& R( d$ i1 p2 H' _是什么原因导致两者之间得功率测试差异这么大,用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右。, l; F3 ]! x/ }6 y( Z

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2#
发表于 2022-10-9 14:00 | 只看该作者
其实走线只要做了50ohm,测试座和同轴线座子下面挖不挖差别不会太大。可以把IPEX座子去掉,焊猪尾巴测测看,焊的时候接地要尽量靠近信号。

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3#
发表于 2022-10-9 14:14 | 只看该作者
你的I-PEX是用那种扣线测的?还是呈标的标准测试线?那种几块一根的扣线,测高频,测多几次不准的概率极大,吹掉焊根铜管看一看;
. T" H  z* c( o" l0 R- q  b另外,注意你的射频线,是不是下方扣地了?如果扣地了,线离两侧地太近,对高频也会有影响的。

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4#
发表于 2023-2-9 09:37 | 只看该作者
IPEX一般而言   因为焊盘较大    就算挖空到两层都不为过
# j7 r$ w+ O+ r& }3 o4 a/ o2 q6 g你去计算阻抗就知道  即便挖空2层   50奥姆线宽( h' C& [! v3 e, t
都还比IPEX焊盘细  
7 B. B+ E! c- S4 q! [- z! }4 r) z6 C3 `2 l" i8 K4 _
至于RF测试座   则看焊盘大小  如果跟50奥姆线宽差不多  那就不用挖$ C( _/ l7 v; v4 y
总之  焊盘挖空的用意是/ j# G3 E& _3 w8 N
# O* `& |% h8 G  P0 P$ V: Q
1.        阻抗接近50奥姆2 s/ {9 B! E8 T* R* u
2.        降低寄生电容
$ x( F/ x$ H# p( m7 {: N9 l8 g
- N! J0 W+ l9 O& a( M3 j9 L先满足1再来谈2   不然如果焊盘大小跟50奥姆线宽差不多6 |5 U! v% E+ V* M& x
你硬挖空   寄生电容是降低了没错   但阻抗高于50奥姆2 ~9 j. @  q5 l' j' A) z. `; c
这样不会比较好  不用想说匹配调回来   没这么万能
( t# W0 l4 ^' Z! x2 J4 J* o* e' [
. p( U6 g0 c5 F至于你说调至50Ω  用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右. n  l" C  U3 [0 ]
这个都是你用铜管量出来的  没考虑到测试座本身的影响" Q' t( j: B: M) a# q, {
建议你用测试座去量   才会比较准% ]% s, j. j; \3 X+ D. |6 ^
因为焊盘没挖空的影响    要用测试座去量  才会显现
. i3 I3 I/ J! c, M: z& \用铜管去量   是显现不出来的" N; c' C5 h6 O; `3 K/ \
5 `$ L7 M+ n3 {6 a2 f. P* f4 Q

  Z# b3 |& a4 L0 }( m
/ b$ _* L! }, p  F5 |" z) [
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