RF测试座和ANT ipex layout问题&功率测试差异

RGB_lamp

最近遇到项目问题，TX POWER 测试，在RF测试座处和IPEX 座处功率差异，高频竟然查将近2dbm，两者之间只有一小段trace和一个L型匹配，将通路调至50Ω后，高频功率测试仍然差1.3dbm。
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9 G+ M5 A  p" I4 J请教一下高人，IPEX 下面 layout时候一般都挖几层啊？ RF测试座下面也要挖空吗？
1 S2 I' _& U1 ?- _5 k0 e: z是什么原因导致两者之间得功率测试差异这么大，用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右。
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名字好听吗

其实走线只要做了50ohm，测试座和同轴线座子下面挖不挖差别不会太大。可以把IPEX座子去掉，焊猪尾巴测测看，焊的时候接地要尽量靠近信号。

VIC56

你的I-PEX是用那种扣线测的？还是呈标的标准测试线？那种几块一根的扣线，测高频，测多几次不准的概率极大，吹掉焊根铜管看一看；
另外，注意你的射频线，是不是下方扣地了？如果扣地了，线离两侧地太近，对高频也会有影响的。

criterion

IPEX一般而言   因为焊盘较大    就算挖空到两层都不为过
2 d$ a/ K3 B+ L8 Y$ e- X4 Q, Y你去计算阻抗就知道  即便挖空2层   50奥姆线宽
都还比IPEX焊盘细  
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8 t( o# }5 A! o% M$ X) I至于RF测试座   则看焊盘大小  如果跟50奥姆线宽差不多  那就不用挖
" v3 [' ^* |8 E1 ^. j* O总之  焊盘挖空的用意是
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  y  F* ^" a8 W& ^2 A5 @4 B1.        阻抗接近50奥姆
2.        降低寄生电容

先满足1再来谈2   不然如果焊盘大小跟50奥姆线宽差不多
你硬挖空   寄生电容是降低了没错   但阻抗高于50奥姆
这样不会比较好  不用想说匹配调回来   没这么万能
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至于你说调至50Ω  用网分量了两者之间得loss 也只有0.3db左右
, p1 O: T3 Q! i/ y9 i8 H+ S这个都是你用铜管量出来的  没考虑到测试座本身的影响
建议你用测试座去量   才会比较准
9 H. k2 w0 p( e4 r因为焊盘没挖空的影响    要用测试座去量  才会显现
2 G- n: t' @4 L用铜管去量   是显现不出来的
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