MOS器件中有关迁移率的问题

justlikethisis

在同一个半导体中，电子的迁移率高于空穴的。
* r3 R# M9 h" M9 Q- ?5 ~' s
5 E7 T/ c. e) p" t2 `5 p) F( B1.如传统的N MOS 器件 我们用P衬底，但是算沟道电子迁移率 u=qt/m  其中t 和电离杂质散射和声学散射有关（以Ge为例），此时t和 参杂的Ni 有关，其实就是p衬底的浓度，  这样以来 算电子和空穴 用的都是P衬底的参杂浓度，当然电子的m有效质量大于空穴的， 所以 电子和空穴的有效质量不同 就在于 与 电离杂志散射和声学波散射对应的系数了吗？
' X4 |; Z3 x- n/ h0 x  D! q
2.我们平常用的mos器件 实际上是反型出来的少子导电，那如果是多子导电，先不考虑工艺实现与否，
  R) ~! [' G% l$ S- s同等参杂浓度的衬底， 一个是p型 我们用其中的少子电子导电
                              一个是n型，我们用其中的多子电子导电

4 n) E0 T1 Y! u0 t直观上看，后者电流应该大

* I6 ?& @# |$ p( x8 \但是要计算两者究竟谁的电子迁移率高 怎么计算？？
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starskyuu

多子导电就是电阻特性了

xiaoming11

没咋研究过迁移率