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芯片可靠性测试与设计

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发表于 2022-9-23 09:33 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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芯片的寿命试验HTOL(high temperature operation life)测试,曾经被认为某个芯片通过了HTOL 测试之后,就能够达到10年的寿命要求,其实不然。主要原因如下:
1)失效机理的影响:我们把引起芯片电路失效的几个失效机理,分析一下他们的加速系数就可以看到,芯片HTOL测试其实并不是都能够在1000小时,vddmax,125c条件下能够加速到10年。因此,HTOL是无法发现芯片在EM和BEOL TDDB设计问题。因此芯片的EM和BEOL TDDB是通过可靠性仿真来保证的
2)测试覆盖率的影响:HTOL的测试覆盖率不高,更别说做到100%了。由于试验设备的限制,HTOL的测试覆盖率比ATE测试机台低得多。只能跑部分ATE的向量。因此这个时候就需要通过可靠性仿真来补足。
3)对于模拟电路,HTOL无法通过抬升电压来加速1000小时到10年的寿命。因为模拟电路的直流工作点不能抬升太多,否则无法正常翻转。这样HTOL只能在接近正常工作电压下做测试,相对于数字电路能够升压到1.4vdd下测试,模拟电路做HTOL的意义不大。只能通过可靠性仿真来保证。
可以说芯片可靠性有80%以上是通过仿真来保证的。这样做HTOL有什么用?
总结:每一种失效机理都有对应的仿真手段和测试方法,需要相互搭配使用,才能完成对芯片的可靠性保证。
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    开心
    2022-12-5 15:27
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-9-23 13:11 | 只看该作者
    芯片寿命试验

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2022-9-23 15:15 | 只看该作者
    可以做环境,震动试验
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