FS03MR12A6MA1LBBPSA1_FS03MR12A6MA1LB，FS05MR12A6MA1BBPSA1（FS05MR12A6MA1B）

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FS03MR12A6MA1LBBPSA1_FS03MR12A6MA1LB，FS05MR12A6MA1BBPSA1（FS05MR12A6MA1B）【供应，回收】

' T- Q5 {9 e; F" v
型号：FS03MR12A6MA1LBBPSA1，FS05MR12A6MA1BBPSA1
类型：6N沟道（3 相桥）IGBT模块，碳化硅MOSFET模块
  q* A+ K$ k1 j- i* ~

一、FS03MR12A6MA1LBBPSA1_FS03MR12A6MA1LB
* w3 C9 D$ ~8 V' |/ CFET 类型：6 N-沟道（3 相桥）
+ m+ P( M- A  k. A+ G! kFET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
/ P/ i  b$ N0 W& }% `  P3 q25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400A
) O7 C( z/ i* g$ y6 @( i不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.7 毫欧 @ 400A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 240mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1320nC @ 15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：42.6nF @ 600V
) p- y3 Z( i+ {- M; C5 |8 i0 r功率 - 最大值：20mW
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
# O8 N5 Y1 Y' _* o6 p* x( Q# R封装/外壳：模块
( o) Z  |0 I9 y1 R供应商器件封装：AG-HYBRIDD-2


/ l) d- n& I" x4 q3 Q7 G+ c
二、FS05MR12A6MA1BBPSA1（FS05MR12A6MA1B）
/ L5 q' `/ T2 q. s3 {9 x& I3 h7 x4.2kV DC 1sec 绝缘
高爬电距离和电气间隙
紧凑的设计
高功率密度
直冷PinFin底板
高性能 Si3N4 陶瓷
PCB 和冷却器组件的导向元件
" y- ]" _8 \$ g% D集成 NTC 温度传感器
PressFIT 接触技术
$ B2 _3 G1 o' w: @( ~+ p符合 RoHS 标准
UL 94 V0 模块框架
新型半导体材料——碳化硅
# A- d9 q! Y5 h+ q+ D/ f  V阻断电压 1200V
/ }: }/ ~5 A( L0 T1 i) i9 w低RDSon
$ i, C1 f0 l0 Q( H9 T低开关损耗
低 Qg 和 Crss
1 Z* F1 v: d. L3 C! sT vj op= 150°C

! N/ |; C3 w) n8 b/ C( ~& J

# t" D+ j6 m9 Z/ |5 B* P, C! Q! `（供应，回收）深圳市明佳达电子，星际金华公司 长期供应及回收模块 FS03MR12A6MA1LBBPSA1，FS05MR12A6MA1BBPSA1。
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