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littlefs文件系统掉电保护是如何实现的?

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发表于 2022-9-15 16:23 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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文档: 在 STM32L4 上应用 littlefs 文件系统% ?4 k+ R# e+ k* |5 z' a; e
1 P) Y4 Q7 k& [" ^$ H$ m
文档上说little fs支持 擦写均衡 和 掉电保护;
) g: z6 X" v. X7 s3 J. _  O擦写均衡可以理解,通过打包几条写入,由写入几次变一次,从而增大flash寿命;
  I# K) O& e2 y: o* W这样要写入的数据临时保存在ram中,掉电不就没了,这个掉电保护是如果实现的,是用电池供电的ram吗
* p  I# L1 \4 E0 D5 U" f

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2#
发表于 2022-9-15 16:49 | 只看该作者
以FAT文件系统为例,当文件创建并写入数据后,这个数据就在固定的位置了。. ^0 \- D' }' k* c8 e
$ k$ x/ u+ j! C
然后我们对文件中数据修改10000次,但没有增大文件体积。这个固定位置就被写入了10000次。
; M$ d: Y0 V3 t% j( h6 m4 u  K) e而带有擦写均衡特性的文件系统,即使你修改文件原有数据,而不改变文件大小,他也可能每次写入在新的位置上。
6 u7 D  n9 l+ g, e, p' D; h6 z: _& V* |& R
基于上面的原理,当你新的数据写入1半掉电了,此时你的原有数据没有任何损失,那么再次上电能看到你写入前的状态,这就是掉电保护。而如果你用FAT,那再启动整个文件系统可能崩溃,特别是写关键数据时。
7 }# T  I  }; N" I6 |: f% c  t8 m4 @当然FAT有也有一点点考虑,如双FAT表,但反正效果一般。
  h8 b& H( r5 b7 y% L- t9 c4 d% Y; _9 z( ^9 d6 S; {  a- x
以上仅是简单的原理说明,实际的实现中要复杂得多。
+ `0 P' k! H( W当然,即使有这些特性,你依然可以在硬件上增加RAM缓冲和额外的电池。
5 X' [9 W% D& U( A1 k+ K2 G. W. E

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3#
发表于 2022-9-15 17:33 | 只看该作者
Flash有多个可用的扇区,但平时我们读写参数总是蹂躏某些特定的区域,久而久之这块区域就容易损坏。擦写均衡呢就要雨露均沾,所有扇区挨个用,这样就变相的延长flash寿命了。
1 y$ H. `! W; e/ }掉电保护
" d9 ?; A( N  v" K3 {这个和ram无关,写flash的时候要先擦除才能写入,如果刚擦除就掉电了这时候不光是新数据没了,就连原来的数据也损坏了。引入掉电保护可以让flash的数据恢复到上一次完好的状态。
' |  f5 V$ Y, K/ o2 e3 u
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