集成于射频芯片的LDO电路设计/仿真报告

RGB_lamp

第一部分 应用...................................................................................1
: X% ?( d, b  ~9 ^LDO 的分析与设计............................................................................................................................................ 1
LDO 芯片的特点................................................................................................................................................ 1
LDO 芯片的详细性能参数................................................................................................................................ 1
- J# t! t6 n- E4 j" s第二部分 电路设计报告...................................................................5
整体电路上电启动模块 ..................................................................................................................................... 5
电流偏置模块 ..................................................................................................................................................... 7
带有修调功能的基准模块 ................................................................................................................................11
2 L# }2 o+ V: E7 H; [7 O带隙基准源的修调电路设计 ........................................................................................................................... 21
1 F* M. D5 E6 B2 b预调整放大器模块 ........................................................................................................................................... 23
低通滤波器模块 ............................................................................................................................................... 27
- _6 E: H7 _4 d5 j) t0 e+ p保护电路模块 ................................................................................................................................................... 31
电压跟随器模块 ............................................................................................................................................... 39
, c8 r5 Q* P; ?9 }9 i/ [第三部分 总体电路的仿真 ............................................................43
) I  u$ B/ h- @  D4 z8 m# z6 x直流参数........................................................................................................................................................... 44
! \2 \2 t7 T* g线性调整率....................................................................................................................................................... 45
负载调整率....................................................................................................................................................... 46
静态电流........................................................................................................................................................... 46
( L! g( Q/ @' @* u瞬态仿真........................................................................................................................................................... 47
* c1 w' t8 ?% L, j7 Z噪声仿真........................................................................................................................................................... 48
交流特性仿真 ................................................................................................................................................... 49
PSRR 特性仿真 ................................................................................................................................................ 52
3 @: G  Y5 {6 d7 ]  I第四部分 LDO 芯片版图设计.......................................................56
9 \, R& A! |9 K
8 T$ B9 x, m* P' g  U第一部分 应用
/ ^8 w2 i$ H. c: gLDO 的分析与设计
: Z$ _6 H" `, n本论文完成了一种应用于集成于射频芯片的LDO的分析与设计。本文主要从稳定性、负载瞬态响应、电源抑制比和噪声四个方面进行了分析。然后，采用SMIC 0.18μm CMOS工艺完成了包括功率调整管、电阻反馈网络和误差放大器三个部分的电路设计，并用cadence Spectre对设计的整体电路进行了仿真和优化，最终实现电路的设计要求，而且可以在片内集成。可在0.1mA～300mA的负载电流范围内稳定工作，电路正常工作时温度范围：-55℃~+125℃，该电路工作电压范围为2.1～3.6V，输出电压1.8V，输出电压在全范围的波动：≤4mV，输出电压准精度：≤10mV，最小压差在300mV以下，静态电流≤60uA；在10Hz～100KHz范围内的内部输出噪声积分约为，≤20μVRMS@20mA、≤50μVRMS@80mA、≤100μVRMS @300mA；电源抑制比（PSRR，在10KHZ以下）：≥60dB@20mA、≥60dB@80mA、≥60dB@300mA；线性调整率：≤0.1%；负载调整率：≤1%；启动时间：≤100us；电压瞬态响应：≤30us；负载瞬态响应：≤50us；输出启动电压过冲：≤100mV；集成输入欠压过压保护、输出断路保护。另外集成过温保护以及输入软启动电路。
( ]+ B+ u# N& e# u8 G, A1 Y
LDO 芯片的特点
4 J6 y6 b, R( H  o0 c) N# v8 U●低静态电流
●0.1mA～300mA的负载电流范围内稳定工作，带载能力强
●在10Hz～100KHz范围内的内部输出噪声小
* m8 j0 x; B0 {! D( h●高电源抑制比（PSRR，在100KHZ以下）
0 |+ y6 p) N. l6 B% C1 Z●可全片内集成

& u; ~, g/ f+ [9 dLDO 芯片的详细性能参数
6 a0 n$ R1 {( T! Z下面将集中讲述一下此次芯片电路设计应该满足的条件，以便于在电路设计过程中有一个总体的设计框架和设计思路。
衡量LDO的性能参数较多，下面介绍主要的几种性能参数。从对这些性能的分析过程中，可以看到各个性能之间不是独立的，性能和性能之间会相互影响和制约。因此，在设计时，要根据具体要求来具体分析。
1）电压差(Dropout Voltage)
当输入电压下降时，输出电压不能再恒定在预定的值，这时的输入电压与预定的输出电压的差值就是电压差。在实际设计LDO时，为了达到更高的效率，常常希望电压差越小越好。一般通过增大功率调整管的尺寸，就可以使电压差减小。但是调整管尺寸的增大，会对稳定性、负载瞬态响应及电源抑制等性能有很大影响。因此，在设计时，需要根据具体要求来具体分析。
2）静态电流(Quiescent Current)
静态电流也叫接地电流，是LDO内部电路所消耗的电流，等于输入电流与负载电流的差值"低的静态电流能提高LDO的效率，延长电池的使用时间。静态电流包括带隙基准电压源和误差放大器消耗的电流，及调整管通过采样电阻网络到地的漏电流。对于用MOS晶体管做功率调整管的LDO，由于MOS是电压控制器件，因此它的静态电流与负载电流无关。
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+ j: ~: y0 x9 q8 q0 i% n/ D: q

dragongfly

发表的帖子，感觉很厉害，很棒

STGing

看一看，学习学习

瞪郜望源_21

不错不错，很是深度和地道，值得学习下