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SI24R2E一款集成MCU 只要上位机编程的2.4G IC

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发表于 2022-7-21 10:48 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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Si24R2E是一颗工作在2.4GHzISM频段,专为低功耗有源RFID应用场合设计,集成嵌入式发射基带的无线发射芯片、128次可编程NVM存储器以及自动发射模块。工作频率范围为2400MHz-2525MHz,共有126个1MHz带宽的信道。0 Z4 g; P0 ^5 P" V

, Z  Y4 d1 h7 B当打开启自动发射功能,内部Watchdog与内部RCOSC工作时,芯片睡眠状态下待机电流仅为700nA。当内部Timer定时到时,自动发射控制器自动完成数据从NVM的装载与发射,数据发射完成后,芯片立即进入睡眠状态,因此Si24R2E的平均功耗非常低,对于电池供电应用,可以非常容易实现五年以上的待机时间。* I5 m! n. U2 J; k7 X4 y

6 o  ]" T7 h9 c! t! _  W: Z) K! W/ WSi24R2E操作方式非常方便,可以不需要外部mcu,可以自动完成数据装载与发射。NVM存储器可以存储寄存器配置与发射的数据内容,掉电后不会丢失,数据可保持10年以上。在3.3V供电电压下,无需外部高压,外部MCU可以通过芯片的四线SPI接口完成NVM的配置编程,芯片最大可编程次数为128次,芯片支持NMV加锁,防止NVM配置数据回读,保证用户数据安全。
. g4 Y( z) x4 C3 N3 H4 s/ Q
2 X4 l! d* l7 @3 S# n9 C6 _Si24R2E也可以在外部MCU控制下工作,芯片不需要额外接口,外部微控制器(MCU)通过SPI接口对芯片少数几个寄存器配置即可以实现数据的发射,芯片完全兼容Si24R1发射功能,在不打开自动发射功能时,芯片功能与配置方法与Si24R2完全相同。
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Si24R124R2E具有非常低的系统应用成本,可以不需要外部MCU,仅少量外围无源器件即可以组成一个无线数据发射系统。内部集成高PSRR的LDO电源,保证1.9-3.6V宽电源范围内稳定工作。
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SI24R2E V3.0.pdf

2.04 MB, 下载次数: 0, 下载积分: 威望 -5

该用户从未签到

2#
发表于 2022-7-21 13:43 | 只看该作者
学习的道路上遇到的困难,总有前辈帮忙解决,真心感动

该用户从未签到

3#
发表于 2022-7-21 15:54 | 只看该作者
好东西,不过我现在用51,用不上射频
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