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IGBT欠饱和是什么概念？

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Jame33

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1#
发表于 2022-6-24 13:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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IGBT欠饱和是什么概念？
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Blah
  • TA的每日心情
    开心
    2023-6-2 15:15

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    2#
    发表于 2022-6-24 14:24 | 只看该作者
    IGBT欠饱和是指在门极驱动电压幅值不足让IGBT进入饱和状态，这样IGBT可能处于欠饱和状态，损耗比较大。欠饱和状态是相对完全饱和状态来说的，欠饱和状态一般是指IGBT刚刚进入饱和状态，是一个临界点，还没有进入深度饱和状态。这是为什么我们设计IGBT驱动电路时，设计驱动门极正偏压（一般+15V）远远大于IGBT的门限电压（一般5V左右），这样可以保证IGBT完全进入饱和状态，降低饱和导通压降，减少导通损耗。
    8 K; _9 r4 w& t! g. n& i

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    opipo

    该用户从未签到
    3#
    发表于 2022-6-24 15:00 | 只看该作者
    驱动电压不够（没有达到门限电压），输出处于放大状态（饱和之后为开关状态）。
    4 x1 [- h2 P+ _4 U

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    rergr

    该用户从未签到
    4#
    发表于 2022-6-24 15:25 | 只看该作者
    再看看别人是怎么说的$ N. n( G8 ^$ }/ `5 ]

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