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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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发表于 2022-6-21 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。
' ?: u$ `- k1 K& @; v; x
. H7 S8 E0 h9 S4 Q3 g60N10参数描述
0 A9 A. [, p3 w4 u2 t' _) v! y+ P型号:60N10' y0 p, ?# t9 m( S1 f+ w
封装:TO-263/ P. d* ^: ]) j& T3 D# z' `
特性:大功率MOS管0 I1 Z/ E$ p9 a0 q% Q0 l
电性参数:60A 100V
; W& ~- d. e$ T  |1 a栅极阈值电压VGS(TH):4V& S8 @) N3 f+ C! X7 D
连续漏极电流(ID):60A' {! }0 G; }# ~. [* y7 r$ J
功耗(PD):160W0 ?- i( X9 S6 _1 E1 m( h& j
二极管正向电压(VSD):1.2V
+ O/ Q) ?3 L: E/ k3 x静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ
; V5 m: T; x* j1 E8 a* Q零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
# h! }3 b: x, K反向恢复时间(trr):35nS7 u" i" {- \# R
输出电容(Coss):182.5pF- Z$ {& |. K. J. H: O
贮存温度:-55~+175℃: Z/ |$ h6 B( ~1 X  _$ D
引线数量:3& ^( K0 k* q5 ^& q7 h* W) b
) t" o8 K- w. N! e. ]/ ^- \
大功率MOS管60N10的检测方法:
" _/ A% K; l8 O+ u2 L5 L1、准备
# ?8 T7 \6 {0 ~: Z% w6 j8 W测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。
; {5 O# f1 d% R" H' q& p9 m3 K+ @' K% @0 q  w) ]
2、判断电极; v% @6 u5 o+ x1 I
万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。$ m5 k4 z+ T5 y
. R2 x4 A$ s$ Q* K! w. a# \$ I
3、检查放大能力(跨导)
9 N; D: h3 ]$ Y  e  ?' b将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。
8 P' M, I; U: I4 O8 b& F/ h目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。; b/ t$ k' q$ \" ~  n

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2#
发表于 2022-6-21 10:25 | 只看该作者
看一看学习学习,

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3#
发表于 2022-6-21 13:18 | 只看该作者
就说有时候芯片的逻辑不对。
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