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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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发表于 2022-6-21 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。  P) \$ `' b2 L) Z

6 U: O" L- D% v& r60N10参数描述3 Y+ T1 ^$ k& ?8 Z  h6 O
型号:60N100 ^0 g. j3 {& Z. w! L+ N6 F
封装:TO-2637 A. c. @. r4 A$ T7 \1 L
特性:大功率MOS管
, A& N9 w1 F. Q& o; i电性参数:60A 100V' p7 q1 p5 l5 {* b
栅极阈值电压VGS(TH):4V- m3 m' {/ p8 ~7 R8 {; _5 M3 q
连续漏极电流(ID):60A
2 W6 C( S5 J( S2 q5 B6 Y功耗(PD):160W' q# E0 `! R8 g$ \2 j" H/ I, _2 q7 o
二极管正向电压(VSD):1.2V
. ^, }2 ?2 e, D- s+ E2 f" `5 u静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ0 k; b. y! T/ i) C+ T3 a0 K$ O
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
0 w2 |* v1 \- m, s' p1 q7 ?反向恢复时间(trr):35nS3 J+ F5 d9 z9 C% P
输出电容(Coss):182.5pF
' V7 u8 j7 w0 ?7 Q1 G贮存温度:-55~+175℃7 }7 j* [% Y) o$ W0 Q
引线数量:3
8 R0 e2 ^7 P) R
& _1 @- R$ s9 B! d大功率MOS管60N10的检测方法:4 B! X9 ~! e6 X0 O, V
1、准备
  V2 m! b$ F7 R; L2 O测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。# v4 _% Q2 @; ~# L/ u

/ U* L+ [+ j* Z; @5 I2、判断电极1 y& h7 c/ g6 j$ |% o/ H4 z
万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。
. Y$ e2 O/ {, Z  k5 S
! _0 E$ o; d' m4 ~6 r3、检查放大能力(跨导)
# H) [% D9 Z- s将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。
/ M" m- n' l% [! k目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。5 P- F- H) }' V4 Y  f

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发表于 2022-6-21 10:25 | 只看该作者
看一看学习学习,

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3#
发表于 2022-6-21 13:18 | 只看该作者
就说有时候芯片的逻辑不对。
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