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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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发表于 2022-6-21 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。2 m' `& |8 g* S

! L! W0 T" r, ^5 w3 N60N10参数描述2 B1 k. O% W7 D, U
型号:60N10
5 p% C4 ]7 S+ A; [封装:TO-263( x$ G2 D) }5 ?& p- b! R' }
特性:大功率MOS管/ [! ?" s4 T+ o- ?3 N$ F
电性参数:60A 100V
) m) Q2 @& f: @& {. q栅极阈值电压VGS(TH):4V
" w; M- {; d9 e+ \8 y% V0 W: r3 h连续漏极电流(ID):60A* G% ~; [5 I) E- n; @. A
功耗(PD):160W
7 e1 ~* F8 l5 R# b. u7 O: h) ?) n二极管正向电压(VSD):1.2V, W, x9 d8 }% S0 s
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ6 l4 ^; k* f/ x( G
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
; [6 n+ D' q- t% E" L& ~反向恢复时间(trr):35nS' _0 B( M, T4 N6 b% }" F/ U, K; m
输出电容(Coss):182.5pF
+ S  p+ _5 ]) _  W0 ~" ~) Y贮存温度:-55~+175℃  C! y+ |( C# a4 [8 x
引线数量:3$ y/ q# d- u2 r, p

! G4 m9 T! Q( C  y' y3 u; ~大功率MOS管60N10的检测方法:" @/ V& R2 Q  |$ i  r$ E" R
1、准备# k, U$ U0 ~# q0 @: \/ P
测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。: m# s6 q* I$ a2 ]% B( c% K
, v/ j; U- C( S; v* {) Q
2、判断电极8 U" {' B% @9 R, S6 o
万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。
- N, g3 i8 L7 p  n  o! g$ x3 \9 S& `0 l' w" H9 V* S/ F
3、检查放大能力(跨导)2 l5 Q: S' A7 }7 l$ b7 j/ ]
将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。" E, c/ }) P; w- O* @( U+ q. K
目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。
$ J+ _& e- c- f5 ]

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发表于 2022-6-21 10:25 | 只看该作者
看一看学习学习,

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3#
发表于 2022-6-21 13:18 | 只看该作者
就说有时候芯片的逻辑不对。
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