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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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发表于 2022-6-21 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。3 C& v% h6 ?. g% X
% h2 f7 m+ H/ i; O
60N10参数描述
: O, W# n, h/ z) a; N# \: e" e6 W型号:60N10
% T/ L+ t  z/ ^7 ]; M. @封装:TO-263
6 ]7 X2 m! y4 ?+ e6 A! {# B特性:大功率MOS管: ~+ v9 c& v. z
电性参数:60A 100V
! ^; T0 A( f0 m3 P& ?栅极阈值电压VGS(TH):4V
8 Z0 x& c, c& s, E) H: H连续漏极电流(ID):60A6 t8 v' u# I! o6 m3 U) W. e, J. s
功耗(PD):160W1 k: B8 K* ]# k- e7 ~( x0 |- v% C" o! H
二极管正向电压(VSD):1.2V
5 e# `" @, d9 y8 r. N静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ
' C/ X, }6 s4 Q6 }, T零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
# s+ g. u% J+ M, V& t; T- B反向恢复时间(trr):35nS
6 ]- J, r7 Z' A+ l0 `8 \8 V输出电容(Coss):182.5pF8 ]3 ?/ f& Z0 A7 I( P' n7 e; f5 x
贮存温度:-55~+175℃9 k% ]0 D; F! O
引线数量:3
2 i; s+ v. l+ C
- y7 M, e9 c2 l2 _) s5 n7 N大功率MOS管60N10的检测方法:
5 p7 H% I# m! e3 Z3 U0 H! C1、准备' E' l- L( D( x: \
测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。
: r' W6 Z9 h7 c! g: {3 |2 B& c! r
2、判断电极
. G* x/ B3 }  R4 |7 Z+ h万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。1 g# |& x  R+ b5 o. \
5 X3 O3 Y5 @' m6 B1 x0 c
3、检查放大能力(跨导)
$ d4 [" K9 x& ~3 b7 }& @将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。* b) D! `+ W1 L" C/ o+ `8 X
目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。( Z: P$ @, o5 S. w$ M7 c

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发表于 2022-6-21 10:25 | 只看该作者
看一看学习学习,

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3#
发表于 2022-6-21 13:18 | 只看该作者
就说有时候芯片的逻辑不对。
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