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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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发表于 2022-6-21 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。8 ]) X3 w0 {/ b5 M4 [

6 p/ x  |! {" [) y/ y/ I60N10参数描述
' m8 ?7 \, K0 G, O1 K; {型号:60N10
, `* A8 [. x. H) A- j- `0 G封装:TO-2632 Z  x5 o3 h2 ]- c- X& n5 ]
特性:大功率MOS管
& t, {' x* o9 c! t- j" p电性参数:60A 100V7 |4 X( a1 D5 Y. R$ ^+ V
栅极阈值电压VGS(TH):4V
  K2 I6 H! _* e连续漏极电流(ID):60A4 R+ r6 ]' ?$ R' Z& b$ B! m
功耗(PD):160W* d1 |: b8 I7 U$ c
二极管正向电压(VSD):1.2V
  d7 j/ u+ l/ G9 d静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ( E+ d! l: ?9 o0 G
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
; O2 {: V, {5 O7 z4 b4 S反向恢复时间(trr):35nS9 e" T5 c" A9 Y' A! J; z( B, C, T
输出电容(Coss):182.5pF
% `1 y9 q; [0 J' d, ~贮存温度:-55~+175℃
/ j1 T; l2 T  o" I- ~引线数量:3
5 c& B* ^+ G  Y5 j$ q, _2 v. s 7 y$ b2 b2 S! I5 x2 G2 l
大功率MOS管60N10的检测方法:
. H1 r: N6 h9 g' ]1、准备3 t  t  r' H3 b
测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。
/ q4 R0 n# h2 E. X: r" C( L0 d: Y2 K$ X/ T: s! F* }* U/ g
2、判断电极) c: I. _. W; M0 b$ M
万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。& j0 E! {1 Y: g$ L

# D' q3 t  A, D* x4 I3、检查放大能力(跨导)( G5 |8 N; F, _& S. {$ j6 J3 _, w
将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。3 {2 k7 y% m5 B. }8 P/ ~' V7 H
目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。
$ U( z" I: u( F5 @6 M' v2 p9 Q

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2#
发表于 2022-6-21 10:25 | 只看该作者
看一看学习学习,

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3#
发表于 2022-6-21 13:18 | 只看该作者
就说有时候芯片的逻辑不对。
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