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ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法

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发表于 2022-6-21 09:20 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高,而栅极和源极之间的电容很小,很容易被外界电磁场或静电的感应充电,少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压,会损坏管子。因此,60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起,或装在金属箔内,使G极和S极等电位,以防止静电荷的积累。不使用管子时,所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心,并采取相应的防静电措施。) v. G- o  u% A8 X: e, R: y
" e5 A5 x3 c. U' G) m
60N10参数描述
' o  r6 ~0 n8 n# D5 n7 @& u: X型号:60N10& C* t( O( s" o& v) R& h% N6 `1 g$ K
封装:TO-263
# a; x$ F* y# {$ f3 e( ]特性:大功率MOS管$ M; z* A4 J' W# p% p7 w* @: r3 k3 T4 X
电性参数:60A 100V
% g4 [/ ], J, b! ~栅极阈值电压VGS(TH):4V# u6 n! q$ A% ^" [, c$ T
连续漏极电流(ID):60A
, g( Y- |6 S4 S, a9 m功耗(PD):160W
9 h$ a+ N! s) Y* `二极管正向电压(VSD):1.2V
! D; ~3 J& D6 W* e/ z- X; a! T静态漏源导通电阻(RDS(ON)):17mΩ6 o, q: C+ t$ k% Q
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
  |+ l! T) l& Y反向恢复时间(trr):35nS
) f1 T4 @7 [/ z8 g输出电容(Coss):182.5pF
( j4 `: V: [4 t* o9 e贮存温度:-55~+175℃& B/ c& R! L: R+ _! `/ W& Q( v9 G. ^
引线数量:3; ]% M" a0 |/ @1 e+ ^

" ^$ I& P  x( r* \' t1 E0 j大功率MOS管60N10的检测方法:
7 l$ h& `. R; a5 O6 }7 m1、准备' H: B: X' X: U2 V
测量前,在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连,使人体与大地保持等电位,再把管脚分开,然后拆掉导线。6 g: ]4 [) n7 J, M3 ?( ], ]4 ?
) P: }7 R# E5 y5 l- e9 k
2、判断电极% F5 c  c. `' c3 B, m* X
万用表置于R×100档,先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的,证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧,电阻值较小时,黑色表笔接的为D极,红色表笔接S极。
9 R& G1 u1 d8 b  ]: q" G5 w) q" H  D, W/ C2 {2 G/ A) i" X/ H
3、检查放大能力(跨导)( ?0 o/ i% H) ^9 W
将G极置于空中,将黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们,可以用手分别触摸G1和G2极,G2极是针向左偏斜较大的极。4 j$ r1 h  m: l" H* j5 g$ U( x
目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管,所以平时不用短接各个管脚。" e, R3 W) q8 e- `+ h* E

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发表于 2022-6-21 10:25 | 只看该作者
看一看学习学习,

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3#
发表于 2022-6-21 13:18 | 只看该作者
就说有时候芯片的逻辑不对。
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