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求助,MOS管驱动电阻有关的关断速度问题

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  • TA的每日心情
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    2022-1-29 15:04
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2022-6-10 10:23 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    下图中R20、R21、R23和R22是驱动电阻,也起到降低MOS关断速度的作用,
    4 C4 Y; x! N& w# n7 g该电阻取2.2k有没有问题?D4D5D6D7二极管选择,对MOS的关断速度有什么影响?
    2 e+ w, p, g$ G( K2 O6 @2 Q
    1 W; a+ G( A1 p4 d( v, F/ }
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-6-10 13:10 | 只看该作者
    那要看你的MOS管开关动作频率是多少。如果开关频率比较低,例如为1kHz,此电阻可以用得比较大。如果开关频率为数十kHz,此电阻就要用得较小一些。
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2022-6-10 13:24 | 只看该作者
    驱动电阻关系到关断速度,也与EMI有关
    7 c% t. f5 v1 K# Y7 R9 \. L关的快了,EMI不好通过
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    2022-1-29 15:03
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    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2022-6-10 13:32 | 只看该作者

    栅极电阻计算与MOS管参数,PWM工作频率或上升时间要求,还有分布参数有关,一般十几Ω到几十Ω,100Ω以下

    / S2 p" I. k5 @/ I0 h$ j+ P6 u
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    [LV.6]常住居民II

    5#
    发表于 2022-6-10 13:46 | 只看该作者
    D4D5D6D7画的位置不对,阳极接MOS栅极,在串个小电阻
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