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走线到铜皮最小距离

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1#
发表于 2022-5-27 09:42 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请教一下板厂的工程师,走线到走线的间距和走线到铜皮的间距有不一样吗?在蚀刻工艺上。
3 j. P8 E4 C4 g* y% j7 V' A% K3 t5 l8 S- a8 v, Q
2层板控制走线到铜皮距离,板厂说必须大于6mil,那为啥走线到走先能控制到4mil 甚至3mil
' W, M* x  s+ _
  • TA的每日心情
    开心
    2021-5-26 15:06
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    [LV.2]偶尔看看I

    2#
    发表于 2022-5-27 10:05 | 只看该作者
    板厂骗你的,话说你2层板应该密度不大,所有电气属性的东西距离都调成6做不到吗?越简单的板子间距最好调大一点。加工成本的关系

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2022-5-27 12:07 | 只看该作者
    跟你PCB上的完成铜厚要求也有关系,铜越厚,间距就要求越大

    点评

    是正常铜厚,就算铜厚了,那走线还能做4mil线宽线距呢,铜皮间距就不行  详情 回复 发表于 2022-5-27 15:40

    该用户从未签到

    4#
     楼主| 发表于 2022-5-27 15:40 | 只看该作者
    liang007008 发表于 2022-5-27 12:07
    * U) q8 K8 z5 @9 k$ G跟你PCB上的完成铜厚要求也有关系,铜越厚,间距就要求越大

    & n6 h; W; k1 y/ w7 C/ k  v. l是正常铜厚,就算铜厚了,那走线还能做4mil线宽线距呢,铜皮间距就不行. ~& q* H0 I- z7 ?9 G0 h# n* e

    点评

    板厂要求的线到铜皮间距这么大,如果不是个别特殊位置,那就是板厂的问题了,换家工艺好点的工厂吧  详情 回复 发表于 2022-5-30 10:44
    实际产品生产要考虑良率的.如果铜皮间距也是4mil.基本就意味着绝大部分点都是细密间距.生产良率很低的.  详情 回复 发表于 2022-5-28 09:37

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2022-5-28 09:37 | 只看该作者
    xian2006 发表于 2022-5-27 15:40
    + l8 @9 y* U& ?1 s' a是正常铜厚,就算铜厚了,那走线还能做4mil线宽线距呢,铜皮间距就不行

    ; m) h" a$ S! f2 y8 j, q* `1 j实际产品生产要考虑良率的.如果铜皮间距也是4mil.基本就意味着绝大部分点都是细密间距.生产良率很低的.
    . q  l1 A* [+ }1 H

    点评

    2层板 2颗DDR4 有什么办法?  详情 回复 发表于 2022-5-30 09:45

    该用户从未签到

    6#
     楼主| 发表于 2022-5-30 09:45 | 只看该作者
    JeffreyLor 发表于 2022-5-28 09:37* y/ n& G$ e/ h% L
    实际产品生产要考虑良率的.如果铜皮间距也是4mil.基本就意味着绝大部分点都是细密间距.生产良率很低的.
    ! S5 b: |4 Y* L
    2层板 2颗DDR4  有什么办法?. P' J6 p) g" F4 \# e8 ?: v

    点评

    阻抗线多吗? 按线到铜5mil间距能不能走出来.圈出来给到板厂,说下这几个地方要按共面控制,线到铜不能改,其他地方按你们建议改.  详情 回复 发表于 2022-5-30 16:56

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    7#
    发表于 2022-5-30 10:44 | 只看该作者
    xian2006 发表于 2022-5-27 15:40" b5 f% p# z7 T4 e  n
    是正常铜厚,就算铜厚了,那走线还能做4mil线宽线距呢,铜皮间距就不行
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    板厂要求的线到铜皮间距这么大,如果不是个别特殊位置,那就是板厂的问题了,换家工艺好点的工厂吧2 z8 Z, l$ |9 e  v

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    8#
    发表于 2022-5-30 16:56 | 只看该作者
    xian2006 发表于 2022-5-30 09:45
    % ?* S8 U* o; k, M" [/ o2层板 2颗DDR4  有什么办法?
    6 h- l* n+ u$ ]9 x
    阻抗线多吗?  按线到铜5mil间距能不能走出来.圈出来给到板厂,说下这几个地方要按共面控制,线到铜不能改,其他地方按你们建议改.
    " O3 ~9 b( i" S' r" R/ J2 X8 n- k% t
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