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应用在SAR ADC中的比较器问题

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发表于 2022-5-19 13:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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我想问一下在SAR ADC中的动态比较器,它的前置预防大结构如图所示,为什么最上端的PMOS和最下端的NMOS的栅极在同一电位?这样不就导致NMOS导通时PMOS截止,PMOS导通时NMOS截止,其原理是是什么?* R" ]/ R# T7 B7 q
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    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2022-5-19 15:13 | 只看该作者
    这种比较器属于可再生比较器,使用正反馈来实现两个信号的比较。原理是基于差分敏感放大电路,特点是需要时钟控制信号。相比其他结构,它的传输时间短,比较速度快,功耗低。直流功耗为0(PMOS导通时NMOS截止,NMOS导通时PMOS截止)。

    点评

    谢谢你的回答,又学到了  详情 回复 发表于 2022-5-19 17:52
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    2023-1-3 15:10
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2022-5-19 16:18 | 只看该作者
    用比较器在数字域比较多

    该用户从未签到

    4#
     楼主| 发表于 2022-5-19 17:52 | 只看该作者
    starskyuu 发表于 2022-5-19 15:13" U( P# b. N' }; n1 y, s- [5 L
    这种比较器属于可再生比较器,使用正反馈来实现两个信号的比较。原理是基于差分敏感放大电路,特点是需要时 ...
    . U6 E6 q, o% Y9 j& D& ]6 P" i
    谢谢你的回答,又学到了
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