NMOS的Vgs为大于Vgsth的电压Vds为负值，请问Vds的电压？

qian211111 · 发表于 2022-5-17 10:42

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背靠背的MOS做交流开关的问题，栅源电压为正，漏源电压为负的时候，电流究竟是走寄生体二极管还是栅源电压可以开启MOS，Rds很小，寄生体二极管被旁路掉？MOS管的手册中没有Vds反相偏压时曲线，Ids与Vgs的模拟电路课本上的公式忘了怎么写。不过个人认为寄生体二极管被旁路掉了，毕竟集成开关管的同步降压芯片内部的低端MOS在续流时就是这个工作状态。

各位怎么看，有MOS管的公式证明这样吗？

someone · 发表于 2022-5-17 11:30

导通的沟道电并没有方向,哪边电压低电流就流向哪边，只是Vds<-0.6V时，寄生体二极管导通（旁路了）

li205212021 · 发表于 2022-5-17 13:18

是的。当N沟MOS管栅源电压为正，漏源电压为负的时候，若栅源电压够大，寄生体二极管被旁路掉。这是因为MOS管压降远小于体二极管压降。开关电源中 “同步整流” 就是这样的工作状态。

ttgoer · 发表于 2022-5-18 09:05

你注意看下MOS的DS，VDS都是±的，这点和BJT不太一样。
只要VGSTH满足

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NMOS的Vgs为大于Vgsth的电压Vds为负值，请问Vds的电压？

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