IO口的ESD防护通常使用MLCC，它的容值和耐压值是怎么考虑的？

612星球 · 发表于 2022-4-26 10:15

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例如打+4kV的静电到接插件上的Pin脚，放电网络是150pF/330Ω，若采用了0.01uF的电容，那么基于放电前后电荷量不变的原则，4kV*150pF=U*(150pF+0.01uF)，得U=59.11V，所以电容的耐压值要大于59V，是这样计算么？

521li · 发表于 2022-4-26 13:26

电容的耐压要大于电压的2倍，不然容易烧掉

612星球 · 发表于 2022-4-27 11:00

有没有大神解答一下计算方法？

steelen · 发表于 2022-4-27 11:05

可以这么估算，2倍你计算值
瞬态过程不好求解的

超級狗 · 发表于 2022-4-29 13:02

本帖最后由超級狗于 2022-4-29 13:29 编辑

521li 发表于 2022-4-26 13:265 {3 A( X1 |; V+ S5 ~( W- n# O
电容的耐压要大于电压的2倍，不然容易烧掉

有一份過期狗糧，但計算方式不是這樣！

612星球 · 发表于 2022-5-5 11:28

超級狗发表于 2022-4-29 13:024 v$ S. w: a# d
有一份過期狗糧，但計算方式不是這樣！

感谢，我看一下

612星球 · 发表于 2022-5-5 11:32

超級狗发表于 2022-4-29 13:02% E a" N/ ~5 R
有一份過期狗糧，但計算方式不是這樣！

不知道你截图里面的计算公式是出自于哪里的呢

seewolf · 发表于 2022-5-6 10:22

我理解经典防护的关键是在于MLCC电容的耐压值，关键在于入口处的ESD和串联的电阻，MLCC通常在串联电阻之后。另外，MLCC的过压能力很强，寿命老化试验都是用“双85+1.5倍耐压值电压”来做的，实际使用就算施加“2倍耐压值电压”也不会损坏，只是有效容值会大幅度降低而已

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