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[技术讨论] 怎样进行电磁场的屏蔽?

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发表于 2022-4-26 09:52 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-4-26 11:30 编辑
+ r% e% [; C2 q9 t' N  ]5 b* I7 |' L8 I
怎样进行电磁场的屏蔽?- A/ U, o/ a. `& Y- s

$ q6 X) M0 B6 c, l2 p, o" N8 ]通常所说的 EMC 屏蔽,一般指的就是电磁屏蔽,即对电场和磁场  o3 {+ X9 r# R- C3 i
同时进行屏蔽。
' T, @' `3 I6 O* }电磁屏蔽也用来防止高频电磁场的影响。' |" x) m7 g; c
交变场中,电场分量和磁场分量总是同时存在。6 T/ w6 |( b% P9 o2 Q, t
知识在频率极低的范围内,干扰一般发生在近场,而近场中随着骚) O! ^7 X& Z$ ~5 u$ m# q. T' v
扰源的特性不同,电场分量和磁场分量会有很大区别。
& J# [  G) R0 Y$ q, n3 @高压低电流骚扰源以电场为主,磁场分量可以忽略,只考虑电场的
3 m5 k* v6 I2 H& e屏蔽。
& F0 r) B# I8 N4 E: O低压大电流骚扰源以磁场为主,电场分量可以忽略,只考虑磁场的
4 I  u) p$ g" U$ X! i6 e& }屏蔽。+ n' C8 ]( w& u; v3 l. k% d
随着频率升高,电磁辐射能力增强,产生辐射电磁场,并趋向于远
1 _) n2 @' N+ \场干扰。. W3 T$ ~2 h9 F$ p+ Z; T
远场中,电场、磁场均不能忽略,要对电场和磁场同时屏蔽,即进
( `$ W! f* P% v  q; v3 Z% I行电磁屏蔽。6 G) f# `  f- P9 U/ a* o5 E8 |8 p
高频时,即使在设备内部也可能出现远场干扰,也需要进行电磁屏; o7 W. }! z2 I: D# |8 r
蔽。$ x8 y! B0 K0 r7 G
采用良导体材料,能同时具备对电场和磁场(高频)屏蔽的作用。
8 K8 C' f, E& U* m6 G, q由于高频集肤效应,对于良导体而言,集肤深度很小,电磁屏蔽体无需做得很厚。
7 D; g; B/ H* P8 k- |  P+ S, }其厚度仅取决于产品的工艺结构及机械性能。
$ T% |0 d) K* A进行电磁屏蔽时:( o& m4 y% R" w8 G
频率在 500kHz~30MHz 范围内,屏蔽材料可选用铝材。/ [4 L) {6 q( U! W6 u
频率大于 30MHz 时,可选用铝、铜、铜镀银等材料。
& @/ i7 F0 M8 x; u2 D- `电磁屏蔽是利用屏蔽体对干扰电磁波的吸收、反射来达到减弱干扰+ l+ c/ i) r  l. ]$ ^9 y, o
能量作用的,可采用板状、盒状、筒状、柱状的屏蔽体。& i2 d% d, B3 O( u( v
电磁屏蔽体形状的选择应以减小接缝和避免腔体谐振为标准。+ c# m# O' }, t. p
圆柱形机箱的屏效高于长方形机箱的屏效,电磁屏蔽设计时,优先" Q/ E0 d; e, ~
选用圆柱形的机箱。
. i  M, _/ W# T当需要屏蔽的电磁场频率接近或等于屏蔽体的某一固定频率时,应
3 Q8 B5 g! Y0 w3 c( ^- D6 r改变屏蔽体的形状或尺寸来避开这一固定频率。
6 b' s3 ^5 |7 ^  P9 J# a2 r进行电磁屏蔽设计时,屏蔽体上的孔缝泄露是电磁屏蔽最关键的控6 |2 q$ T0 N1 U, V+ K
制因素。要着重考虑三大关键因素:
$ a/ V/ }! b, B8 X8 l① 屏蔽材料的选择;6 R7 h1 U' H2 ^- M5 H
② 屏蔽结构完整性设计;
+ N# R) n  q* h' Y5 f1 K) |③ 电缆进出结构体的设计。4 n; `, ^- h* K$ h/ l0 M
: ?1 h: w' {# L1 Z, F

. c! n2 s8 K1 M7 ?; K" V1 N

怎样进行电磁场的屏蔽?.pdf

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发表于 2022-4-26 13:14 | 只看该作者
EMC屏蔽有哪些优点?' Q" w6 K2 Q2 t+ X- o
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