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PMOS作电源开关,开通瞬间前级电源电压跌落。

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  • TA的每日心情
    慵懒
    2022-1-21 15:20
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2022-4-26 09:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    现象描述:
    5 c$ e8 w" Z& ^$ G4 k$ I6 y( p1.MOS管打开时,会使前级电源VCC电压跌落。VCC_3G并联一个1000uf电容,初步判断是mos管开启瞬间充电电流引起,减小容值有比较小的改善,直接去掉后电压才不会跌落,但是这个储能电容又不能去掉,请问有无改进办法?
    1 w7 h2 `1 t+ h  q7 {% I5 ?) v2.图1和图2   G级电阻位置不同对电路有没有影响,或者说哪个更好一点。4 ]2 E5 y: M2 _+ J6 v$ G6 w9 z

    " c( D0 ~  i+ o5 d: ?# F
    0 P1 c# L9 N, f( S6 \! j7 Z
    0 i* X8 ~) b0 o

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2022-4-26 09:43 | 只看该作者
    12的规定发给发广告
    ! \& U3 o$ l. r3 L  a+ |, X6 g! y

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2022-4-26 09:44 | 只看该作者
    这上个图画的还有得进步啊
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-21 15:21
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2022-4-26 10:06 | 只看该作者
    1000uF与MOS管之间串联电阻或者在电容上面串联电阻,视需求选择。2 j- v8 P) y/ h$ r5 N
    进一步可在MOS管S丶G间并联电容,形成缓慢启动,让输出大电容慢慢充电。
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-21 15:22
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    5#
    发表于 2022-4-26 10:15 | 只看该作者
    前级电源VCC除了R1支路和Q1支路外还有没有其他负载?如果有,你要把对电压敏感的器件放在同一路,在这路上加串一个二极管,并一个大电容。如没有其他负载,你只要在R1上面加个二极管并一个大电容。电容大小要根据需要来定。
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:05
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    6#
    发表于 2022-4-26 10:22 | 只看该作者
    控制MOS管电流就可以
  • TA的每日心情

    2023-12-14 15:02
  • 签到天数: 283 天

    [LV.8]以坛为家I

    7#
    发表于 2022-4-26 10:33 | 只看该作者
    本帖最后由 没有星星的夜空 于 2022-4-26 10:34 编辑 4 m( K& J* P' d! F

    2 L2 f5 V' k* s8 Z5 x2 u/ ]: P6 t可以在MOS管栅极增加对地电容,减缓MOS管的导通速度

    1.png (60.18 KB, 下载次数: 2)

    1.png

    2.png (57.39 KB, 下载次数: 8)

    2.png

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2022-4-27 16:58 | 只看该作者
    用后一种, 把R4加大些, 减慢MOS导通速度
  • TA的每日心情
    开心
    2023-6-25 15:00
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    9#
    发表于 2022-4-28 17:04 | 只看该作者
    PMOS缓启动电路,SG电极之间加电阻电容,根据实际的测试情况调整C1\R2的值,上电瞬间冲击电流过大,就加大C1/R2的值
    0 T  u' t( v/ \. D) p7 w
    / v4 N9 H" q  T; r$ a; {
  • TA的每日心情
    开心
    2022-5-14 15:11
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    10#
    发表于 2022-5-1 17:33 | 只看该作者
    这上个图画的还有得进步啊

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2022-5-5 07:17 | 只看该作者
    VCC_3G 如果指的是射頻 3G 模組的電源,這東西是吃電怪獸。
    1 c$ Q( F8 g  v& ~  X9 S' e$ n: R5 ^. ?# J
    以前我們在養雞場,至少都得放上 100uF x 3 來解決給電瞬間掉電問題。
    ( u/ ]# q, r: X" [, z; z# y6 T9 l: p2 D! U" |
    " G& o  }7 w2 n; ]

    4 [6 A" x9 F9 n. Y, m0 E6 p/ w

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2022-5-5 08:46 | 只看该作者

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    13#
    发表于 2022-5-6 10:31 | 只看该作者
    方法很简单:1、在开关的MOS管上做“缓启动”控制,一般就是“限制栅极电流+并联加大Vgs电容”即可,具体参数以实际调试为准;2、改用“负载开关”替换掉MOS,负载开关选那种“上电延时/斜率”可调,且支持“快速放电”的即可;
  • TA的每日心情
    开心
    2021-2-25 15:13
  • 签到天数: 22 天

    [LV.4]偶尔看看III

    14#
    发表于 2022-5-6 10:36 | 只看该作者
    把大电容挪到VCC端

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2022-5-6 10:38 | 只看该作者
    不过我还是怀疑你整个电路电源部分的设计有问题,就算VCC_3G电压与的负载功耗或瞬时脉冲电流很大。也不一定需要1000uF电容。这里有如下几个建议:
    ; T+ Z, t5 `# v& y6 u$ P: \1、对于大功率或大脉冲电流负载,可以单独使用DCDC供电。DCDC选择开关频率高的,利用DCDC的快速响应能力来缓解瞬时电流脉冲变化;
    * o4 c* `+ T8 {1 _$ |2、电源芯片本身也可以做缓启动控制,通过控制电源芯片的“EN管脚”,使用“限流+并电容”的方式即可;
    - u  t  ?& a3 R+ Z3 U" p6 j3、如果无法独立电源,可以考虑把1000uF的电容至少一半放于VCC电压域。你放置如此大容值的电容,肯定是为了稳定电源,而不是滤波的作用了。那么电容放在开关MOS的前级或者后级其实没有本质区域,将部分挪到开关MOS的前级,也可以有效降低后级负载的上电脉冲电流;
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