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超出MOS工作承受范围

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发表于 2022-4-24 10:18 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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mos在控制器电路中的工作状态,开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过度过程)、截止状态、mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和导通过程),导通损耗,截止损耗以及雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。& ^& |* H5 H  V2 U

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2#
发表于 2022-4-24 10:37 | 只看该作者
mos管的损坏主要围绕雪崩损坏、器件发热损坏、内置二极管破坏、由寄生振荡导致的破坏、栅极电涌、静电破坏这五大方面。
& v) R) G& z/ Z7 X2 V- ~4 O

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3#
发表于 2022-4-24 13:10 | 只看该作者
一般超过电流限度就会击穿
# Z4 A4 M; v5 P/ o( X

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4#
发表于 2022-4-24 13:33 | 只看该作者
要计算好,只要不超出承受范围,就没有问题( X; n3 g; x4 P: M- l

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5#
发表于 2022-4-24 13:55 | 只看该作者
只要都在规定范围之内,就没什么问题
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