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超结MOS和SiC MOS各有什么优缺点?如题,最近一个项目需要用到,但还没确定用哪种MOS

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发表于 2022-4-21 11:07 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如题,最近一个项目需要用到,但还没确定用哪种MOS。
6 p5 |3 @9 C9 p: A, f

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2#
发表于 2022-4-21 13:34 | 只看该作者
区别就是碳化硅mos开关损耗极低,开关频率可以做的很高。
$ n* @  ?) ?* T

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3#
发表于 2022-4-21 13:43 | 只看该作者
SIC开关速度快了,DV/DT大了,带来的EMC问题比较多。
5 {; B# {7 D; ~

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4#
发表于 2022-4-21 13:51 | 只看该作者
超结的开关损耗其实更低。3 D" E7 s1 f% H

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5#
发表于 2022-4-21 13:58 | 只看该作者
用超结替换过VDMOS,感觉超结还是好用点。- k$ f5 h6 \) u1 y- l/ t5 f
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