对于逆变器的MOS管应用推荐，少不了这6款场效应管！

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通过方正证券最新的研究：2022年逆变器行业深度报告，可知逆变器行业未来已经变得越来越可期了。行业在高速发展的时候，必然是需要把产品的供应链做好，因此对于逆变器MOS管的使用选择，则变得尤为重要。

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那么，对于市场上12V、24V、48V的逆变器在MOS管上的使用应该要怎么考虑呢？今天飞虹电子就通过专业的MOS管参数给大家分析下型号以及数量的使用建议。

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首先在逆变器的使用中，我们可以常见FHP170N1F4A、FHP80N07、FHP100N07、FHP3205、FHP1404、FHP50N06这6款MOS管，在实际的应用常见是该如何使用呢？

1、24V车载逆变器：FHP170N1F4A场效应管

对于24V车载逆变器我们是建议使用FHP170N1F4A场效应管的，其具体参数为：

具体产品参数，具有172A、100V的电流、电压， RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ，最高栅源电压@vgs =±20 V，100%EAS测试，100%Rg测试，100%DVDS热阻测试，优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，一致性高，高可靠性,高雪崩耐量。

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FHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。

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2、48V工频逆变器：FHP170N1F4A场效应管

对于48V工频逆变器我们是建议使用FHP170N1F4A场效应管的，其具体参数为：

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具体产品参数，具有172A、100V的电流、电压， RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100%EAS测试，100%Rg测试，100%DVDS热阻测试，优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，一致性高，高可靠性,高雪崩耐量。

FHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。

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3、300W/12V输入的逆变器前级：FHP80N07、FHP100N07场效应管

（1）应用FHP80N07场效应管建议需要使用4只，具体参数为：

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具有80A、68V的电流、电压， RDS(on) = 8.5mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±25V，内阻低，耐冲击特性好的特点。

FHP80N07的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：25；VTH（V）：2-4；ID（A）：80A；BVdss（V）：68V。

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（2）应用FHP100N07场效应管建议需要使用2只，具体参数为：

具有100A、68V的电流、电压， RDS(on) = 8mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±25V，开关速度快，内阻低，耐冲击特性好。

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FHP100N07A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：25；VTH（V）：2-4；ID（A）：100A；BVdss（V）：68V。

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4、500W/12V输入的逆变器前级：FHP100N07、FHP3205、FHP1404场效应管

（1）应用FHP100N07场效应管建议需要使用4只，具体参数为：

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具有100A、68V的电流、电压， RDS(on) = 8mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±25V，开关速度快，内阻低，耐冲击特性好。

FHP100N07A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：25；VTH（V）：2-4；ID（A）：100A；BVdss（V）：68V。

（2）应用FHP3205场效应管建议需要使用4只，具体参数为：

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具有130A、60V的电流、电压， RDS(on) = 8mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±25V，开关速度快的特点。

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FHP3205的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：25；VTH（V）：2-4；ID（A）：130A；BVdss（V）：60V。

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（3）应用FHP1404场效应管建议需要使用2只，具体参数为：

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具有180A、40V的电流、电压， RDS(on) = 3.7mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±25V，低内阻，大功率的特点。

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FHP1404的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：25；VTH（V）：2-4；ID（A）：180A；BVdss（V）：40V。

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5、150W/12V输入的逆变器前级：FHP50N06场效应管

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（1）应用FHP50N06场效应管建议需要使用2只，具体参数为：

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具有50A、60V的电流、电压， RDS(on) = 16mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±25V，内阻低，温升低的特点。

FHP50N06的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：25；VTH（V）：2-4；ID（A）：50A；BVdss（V）：60V。

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但在实际使用中还是需要进行测试才能选择最优解，因此建议各类逆变器开发工程师进一步试样。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的，详细参数规格表可登陆“飞虹电子”网址。

飞虹电子是优质的MOS管研发团队，过程中会有专业的产品工程师与厂家共同维护研发，让企业产品能够得到最优的保障。

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选择可替代各类逆变器的型号参数场效应管，飞虹半导体已获得实用专利及发明15项，并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们。

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