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CMOS、SiGeBiCMOS和GaAs三种工艺的射频功率放大器的异同

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发表于 2022-4-12 14:04 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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CMOS、SiGeBiCMOS和GaAs三种工艺的射频功率放大器的异同有什么?能否给讲解一下3 D* E! F& g; ?$ r0 U' T% S

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发表于 2022-4-12 15:19 | 只看该作者
射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用,是现代无线通信的关键设备。
3 n! M3 J# Z: u+ H

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发表于 2022-4-12 15:42 | 只看该作者
与传统的行波放大器相比,射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点;由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要,使得功率放大器的研制变得十分重要。因此对该课题的研究具有非常重要的意义。 设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs、SiGe BiCMOS和CMOS等。" m6 R# e0 Q4 I+ C8 p" c
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