国产MOS管型号参数合集，推荐UPS不间断电源电子开发工程使用

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UPS不间断电源MOS管国产使用推荐，哪一款更适合产品使用呢？

+ L! p3 X, u% d3 x$ p& |1 @UPS即不间断电源（Uninterruptible Power Supply），是一种含有储能装置的不间断电源。主要用于给部分对电源稳定性要求较高的设备，提供不间断的电源。

其应用领域已经覆盖到国防、交通、运输、通讯等领域，由于涉及的领域应用都是使用好的产品，因此MOS管作为UPS不间断电源的重要应用部件时，电子开发工程师当然也需要使用好的电子元器件才能让产品变好。
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究竟哪一些国产的MOS管型号是能够比较好的在UPS不间断电源中使用呢？今天飞虹电子整理一份2022年最新的UPS不间断电源电路可使用的国产MOS管合集，供广大电子工程师参考。

目前国产MOS管中，最新可应用于UPS不间断电源电路的场效应管型号为：FHP80N06B、FHP200N6F3A、FHP150N03C、FHP60N1F10A、FHP120N7F6A、FHP170N1F4A、FHP200N4F3A，以上7款产品都是可以应用于UPS不间断电源电路中的。

最终如何选择对应每一款UPS不间断电源呢？这当然是需要结合MOS管的实际参数数据，以及实测的情况：

1、FHP80N06B场效应管

具有80A、60V的电流、电压，RDS(on) = 6.2mΩtyp) ，最高栅源电压@vgs =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS热阻测试，一致性高，高可靠性，开关速度快，低导通内阻RDS(on)，低Crss。

6 m5 C; t  l! l0 H, V6 |7 U/ lFHP80N06B的封装形式为TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：80A；BVdss（V）：60V。

最大脉冲漏极电流（IDM ）：320（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为6.2mΩ、反向传输电容：240pF。
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, Q0 a  @) C8 E+ g* p3 l0 t9 T* O2、FHP200N6F3A场效应管

具体产品参数，具有200A、60V的电流、电压， RDS(on) = 3.5mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，极低的输入电容的特点。
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FHP200N6F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：60V。
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2 l4 |) P: {& B5 |9 \3、FHP150N03C场效应管
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8 ]* t, V5 U3 }2 X% b' i这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：0.8-2.5；ID（A）：150A；BVdss（V）：30V。
3 d! X) s- \) j! a最大脉冲漏极电流（IDM ）：600（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为2.2mΩ、VGS=4.5V则为2.8mΩ；反向传输电容：405pF。
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4、FHP60N1F10A场效应管

) K. H7 P1 t6 P# g2 \FHP60N1F10A具有60A、100V， RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V，具备100% EAS测试，100% Rg测试，电机驱动用mos管100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，极低的输入电容的特点。
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/ s1 B# r8 \  R2 b5 gFHP60N1F10A的主要封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。
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5、FHP120N7F6A场效应管
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最高漏极－源极直流电压为70V，在TC=25℃下，其连续漏极电流为120A，在TC=100℃下，其连续漏极电流为80A。

& |% `9 B. y: u" ?: i2 E最大脉冲漏极电流（IDM ）：480（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为5.4mΩ；反向传输电容：24pF。

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$ L9 w- w$ h) W; ]6、FHP170N1F4A场效应管

% P$ J! |1 H9 q( d- ^& g4 i具体产品参数，具有172A、100V的电流、电压， RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100%EAS测试，100%Rg测试，100%DVDS热阻测试，优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，一致性高，高可靠性,高雪崩耐量。

" {: I# Q" E4 X! k6 C4 k* MFHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。

2 t+ y" P6 R& |7、FHP200N4F3A场效应管
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( E; n. e. _4 U  Y6 N/ w具有200A、40V的电流、电压， RDS(on) = 3.1mΩ(max) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，极低的输入电容的特点。
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FHP200N4F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：40V。

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以上7款MOS管型号：FHP80N06B、FHP200N6F3A、FHP150N03C、FHP60N1F10A、FHP120N7F6A、FHP170N1F4A、FHP200N4F3A的型号参数数据均通过实际进行测试得出，具体在UPS不间断电源中的使用，建议开发工程师进一步取样测试。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的，详细参数规格表可登陆“飞虹电子”网址。

: @/ j0 b7 T- A: z5 R飞虹电子拥有专门的研发团队为企业在产品研发过程中的产品测试提供保障，能及时帮助厂家解决产品测试问题，帮助企业做强做大。
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- Y0 z7 n2 u: o; [/ I选择可替代UPS不间断电源电路的型号参数场效应管，飞虹半导体为国内的电子产品厂家提供优质产品以及配套服务。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。