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先进封装的“三个新特点”

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发表于 2022-3-25 13:41 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 bekindasd 于 2022-3-25 13:42 编辑
/ y& g9 Q& i' S; K- T$ C1 z
1 L" U0 h5 R! l9 ]8 W0 {4 E先 进 封 装 + k+ S, I1 L% Y: N2 y
1 ^9 V) |* [; [  Y% c* I- T
       电子产品之所以能为人类服务,并不在于其采用多么先进的工艺,而在于其功能(Function) 是否满足人们的需要,因此,能否影响设备的功能则是判断其重要性的关键依据。
在传统封装时代,由于上面提到的传统封装的三个功能特点,封装本身并不会使芯片的功能产生任何变化。然而,到了先进封装和SiP时代,这种情况发生了重大的改变!3 k/ h9 e8 n, E; t, r
什么样的重大改变呢?我们就需要了解先进封装的三个新特点。
4 L! {' x- |" M9 E- E

# q/ J2 E, s( R6 X
提升功能密度 (Increase Function Density)
4 G( ?3 n2 o5 S* f
功能密度是指单位体积内包含的功能单位的数量,从SiP到先进封装,最鲜明的特点就是系统功能密度的提升。
通过下图,我们就能直观地理解功能密度的含义,下图为应用在航天器中的大容量存储器,左侧为进口的传统存储器,右侧为国内新研发的存储器,实现完全相同的功能,新存储器的体积只有传统存储器的1/4,因此,其功能密度为传统存储器的4倍。
功能密度(Function Density),是一个相对宽泛的概念,在存储器中,可理解为存储密度,并且在其他类型器件中,也同样适用。
5 ?0 g: k7 g# G
缩短互联长度 (Shorten Interconnection Length)
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在传统封装中,芯片之间的互联需要跨过封装外壳和引脚,常常会达到数十毫米甚至更长,如此长的互联会造成较大的延迟,严重影响系统的性能,并且将过多的功耗消耗在了传输路径上。
先进封装将芯片之间的电气互联长度从毫米级(mm)缩短到了微米级(um)。互联长度的缩短,带来的好处就是性能提升,功耗降低。
这一点,通过HMB和DDRx的比较大家就能看得很明白。和DDR5相比,HBM性能提升超过了3倍,但功耗却降低了50%。
, L7 Y& S# S$ a, f
进行系统重构 (Execute System Restruction) ' P0 Q  w2 T3 Z9 ]5 I8 `% O4 ?

7 u; K7 }/ i! \; [8 K( z& ^
9 r7 Y0 ~  |& U5 i- `
重点来了,系统重构才是先进封装从幕后走向台前的重要推手。系统重构只发生在系统的多个元素之间。只要是多个芯片,并且之间进行了互联,就会产生功能的改变,我们称之为系统重构。传统封装时代,电子系统的构建多是在芯片级(SoC)或者是在板级(PCB)进行,先进封装时代,在一个封装内构建系统并进行优化,我们称之为封装级系统重构,Chiplet技术、异构集成技术就是封装级系统重构的典型代表。

- Q% t2 {" E% M, g; r3 b
  总 结
; Z4 p/ f, w7 n" g4 T; S5 d. o6 [. b. O6 L! h
7 B* q8 c* B0 e% i! m4 H
      先进封装属于电子封装,因此传统封装的三个功能先进封装也都具备,此外,相对于传统封装,先进封装又增加了三个新的特点:提升功能密度,缩短互联长度,进行系统重构。这三个新特点给先进封装带来的优势就是:提升系统性能,降低整体功耗!
4 R& V4 Q5 k/ v) C( S4 c1 u1 z7 Y; |% Q0 j  ^# e2 U9 p9 z
  • TA的每日心情
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    发表于 2022-3-25 15:01 | 只看该作者
    提升功能密度,缩短互联长度,进行系统重构

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    发表于 2022-3-25 16:08 | 只看该作者
    提高性能,降低功耗
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