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mos管2301,2302可以用什么替代

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1#
发表于 2022-3-24 10:01 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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mos管2301,2302可以用什么替代?哪位知道,能给详细说一下吗?7 }4 ]! d% o; F( t9 r* i

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2#
发表于 2022-3-24 10:37 | 只看该作者

可以使用带阻三极管替代这个带阻三极管,常用的型号为:KRA106S PNP、KRC106S NPN

虽然带阻三极管很早就在用了,不过那时是用在手机上,为了节约PCB版面和器件,但是传统的设计,很少有看到,没想到这几年也开始用了。

相对于三极管,用小功率mos管,比如SI2301、SI2302,在实际使用中不是很理想,主要是微功率MOS管,容易烧坏,抗冲击能力太弱

尤其是mos管导通之后的内阻太低,容易被瞬间大电流冲击烧坏。去年理解了柔性硬件设计思想,并且也看到很多成熟的设计还是用三极管,所以看到这个带阻三极管,就想着在其它电路中把MOS管替换成带阻三极管。并且相比MOS管,除了抗冲击能力强外,外围不需要两个电阻了,使用简单。

( A1 N8 Z& L- b/ z$ `1 g) b5 D( v

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3#
发表于 2022-3-24 11:19 | 只看该作者
①、这Sⅰ 2301,属于P沟道场效应管,丝印:A1SHB
/ Y! \* B$ E; H9 t0 H/ h) e封装S0T23此管参数如下:/耐压:20V//
$ h1 u0 Y. q2 ^# ]4 n/电流:2.3A//。4 v6 q. O5 p6 Z: Y

8 Q2 l3 j5 i* l+ o1 I②、返Si 2302,属于N沟道场效应管,丝印:A2SHB
% u' P6 m  h' j3 g- Z/ }封装S0T23此管参数如下://耐压:20Ⅴ//0 S9 X+ r+ m; x; T
//电流:2.5A//。7 X: Z) z5 K% t
2 m+ @: N; z: r+ J' G
③、以上两管替代如下:- g+ S7 `  a; H+ q2 e' ^
Si2301属于P沟道场效应管,可用Si2307直接7 Q3 n4 i$ q4 r9 k  Y% o2 E
代换。, q1 e7 F3 h; I# J: z- D; S

7 I: Y$ U) P0 A& \* }Si2302.属于N沟道场效应管,可用Sⅰ2304直接
+ W% M; i  N2 V% [代换。/ e; @9 O# X9 M* _2 B. w9 w

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4#
发表于 2022-3-24 13:11 | 只看该作者
楼上说的很不错的* q+ o; z/ M1 i  M
  • TA的每日心情
    开心
    2023-6-2 15:15
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    5#
    发表于 2022-3-24 13:31 | 只看该作者
    再看看其他人是怎么说的
    & c; d8 }, U: R  n
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