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电机驱动推荐使用的MOS管合集,总有一款是您开发电路需要的

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发表于 2022-3-17 21:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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究竟电机驱动电路中有多少款MOS管是适合使用的呢?电子工程师开发时经常会遇到这个问题,网络上面要么是只能看到简单的数据,要么就是介绍得不太清晰的。因此今天飞虹电子整理了这一份电机驱动电路可使用的国产MOS管合集,供广大电子工程师参考。
) B/ j$ o$ H' P" n
1 W& O0 R* ]; B" _# A目前国产MOS管中,可替换多款场效应管产品使用的具体型号为:FHP120N7F6A、FHN60N1F10LA、FHP170N1F4A、FHP200N6F3A、FHP200N4F3A、FHP150N03C、FHP170N8F3A、FHP110N8F5B、FHP100N8F6A、FHP60N1F10A、FHP75N100,以上10款产品都是可以应用于电机驱动电路中的。0 ~3 j* Q" G, I8 b" U# c! I# r

5 r' `/ F7 D) V: s3 {

' i9 J0 s" q( D9 |$ X5 I+ l具体要怎么选择呢?当然需要结合产品的实际参数数据,具体我们来细看一些以上产品的核心参数情况:
6 I1 F5 e4 a# F8 e: ~( d' A" V. y& p/ F- v+ F- u0 P
1、FHP120N7F6A场效应管:
( U( E6 @5 f6 h9 S, g3 N) z+ ~# q
1 b: p# d% s- v* Y! X1 d+ H最高漏极-源极直流电压为70V,在TC=25℃下,其连续漏极电流为120A,在TC=100℃下,其连续漏极电流为80A。$ h( u1 c% ^0 R, C; L/ J
+ |. i# Y9 R# J7 e3 ?) x3 m' Q! f
最大脉冲漏极电流(IDM ):480(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为5.4mΩ;反向传输电容:24pF。& z2 B3 V. Q$ f( A$ A

- ^' `+ r4 A4 W
) w2 m5 @2 L8 N& V2 |% n
2、FHN60N1F10LA场效应管:  j% P  R7 J1 I3 x9 L1 P
' ^" x( S) T9 X3 v( x4 p( v
这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):1.2-2.4;ID(A):60A;BVdss(V):100V。( ^% W( C5 f( j

( @4 j  o4 ^$ z* |: J最大脉冲漏极电流(IDM ):240(A)、静态导通电阻(typ):VGS=10V则为10mΩ、VGS=4.5V则为12.5mΩ;反向传输电容:11pF。
) \4 o, E9 Q2 R% ^5 ]% G8 L! O9 k9 L! q* A* I9 f1 ^3 \

. y! j7 U" x/ ?# r3、FHP170N1F4A场效应管:
- j4 y. c/ _% U; [0 Y/ u1 m( T& {. |3 \7 i% T+ S; `( Y
具体产品参数,具有172A、100V的电流、电压, RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ,最高栅源电压@vgs =±20 V,100%EAS测试,100%Rg测试,100%DVDS热阻测试,优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg),一致性高,高可靠性,高雪崩耐量。/ D+ I4 H1 c# l

9 u# x0 n5 E, {; OFHP170N1F4A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):172A;BVdss(V):100V。8 P6 Y+ k6 V$ q" D
9 \0 B8 J2 t5 M3 i. o$ K/ R8 u/ C( D
+ x& }! {% d- x1 ?# {$ }
4、FHP200N6F3A场效应管:
: R% o1 D, V7 r0 z
2 n% F" K" Q% ]8 h/ {+ N& F& o! Y具体产品参数,具有200A、60V的电流、电压, RDS(on) = 3.5mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),极低的输入电容的特点。: K- z/ b) M; f0 o2 w+ Y3 Y
+ Q2 Z: g3 S( r5 T  U9 L. A! i
FHP200N6F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):200A;BVdss(V):60V。
2 E6 m9 {1 Z" s7 ~3 ^' k% ~; i
4 }% g1 r5 f7 H
5、FHP200N4F3A场效应管:$ y" v$ i! ~2 _/ e: g

3 Q# z8 T% `8 _. W具有200A、40V的电流、电压, RDS(on) = 3.1mΩ(max) ,最高栅源电压@VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),极低的输入电容的特点。  {+ F$ p  o, f) ~

# ?0 |% r/ v: ?3 }FHP200N4F3A的封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):200A;BVdss(V):40V。
3 P% V  O6 D) M! ^5 X5 e* t% H. r+ T) P* c
+ b0 b! l4 D* K* t5 d) M; [
6、FHP150N03C场效应管:8 T% i+ x3 c. Q: m0 S( O- S

6 c3 c* i; a, U) m这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):0.8-2.5;ID(A):150A;BVdss(V):30V。3 r2 i. Y5 A. N  f2 ?) E; @
最大脉冲漏极电流(IDM ):600(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为2.2mΩ、VGS=4.5V则为2.8mΩ;反向传输电容:405pF。
, [# p# M3 w+ Y8 x" r+ b7 s/ B9 S) C4 d! k; d

; Z& a' b# I, R, A) k. a. H7、FHP170N8F3A场效应管:
: h" R( p6 F. y1 m% U1 }8 i' C5 F' d2 q$ h
最高漏极-源极直流电压为85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其连续漏极电流为185A,在TC=25℃(Package Limited)下,其连续漏极电流为120A,在TC=100℃下,其连续漏极电流为117.2A。( K- t+ R2 N( s! s9 E. c5 a4 N) {
1 ~% f$ d  z, [
最大脉冲漏极电流(IDM ):480(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为2.95mΩ;反向传输电容:97pF。
) W1 f* o1 U( t  l6 q5 ]' ?1 R) _2 n# c- @

( d+ |  V, a6 Z8 t: a+ Q! q! E8、FHP110N8F5B场效应管:
( Y7 ]" h  R* S4 T( d& O  i4 i6 T" n9 ]
其产品参数:具有147A电流、85V电压, RDS(on) = 5.5mΩ(max),最高栅源电压 @VGS =±20 V,100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),锂电池用MOS管并拥有极低输入电容的特点。
  G$ W( z3 q# O" j) C% x" ~* V
1 j: ~2 G& R8 F) wFHP110N8F5B的主要封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。0 V7 W1 M, p+ A/ b* h& Y0 [

4 L! h! X! i  H( `% v

% a, n8 k! E* g+ V5 |3 [  l+ ~$ ^9 S9、FHP100N8F6A场效应管:' F8 n& O) Z# q& ^1 u
3 X% ~, r2 A2 L2 d$ w" X
100N8F6A场效应管的最高漏极-源极直流电压为85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其连续漏极电流为120A,在TC=25℃(Package Limited)下,其连续漏极电流为80A,在TC=125℃下,其连续漏极电流为56A。
4 X# O0 o% N: ^( \1 T. |7 G1 T- |1 O/ G* q% G# }1 }
最大脉冲漏极电流(IDM ):320(A);静态导通电阻(typ):VGS=10V则为5.3mΩ;反向传输电容:18pF。
+ c' i: l+ c2 W2 O. y2 t9 ^- f" e" ?

/ d8 x# M+ p; t0 V! v8 \# s10、FHP60N1F10A场效应管:
' g; x% G1 V% h' C2 f  n+ _: C4 Y! ?! N# T: c
FHP60N1F10A具有60A、100V, RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V,具备100% EAS测试,100% Rg测试,电机驱动用mos管100% DVDS测试,极低的FOM(RDSON*Qg),极低的输入电容的特点。
6 R; o0 l. w/ E" f' V2 d
* l2 `" l  [! o! LFHP60N1F10A的主要封装形式是TO-220。这款产品参数:Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):60A;BVdss(V):100V。
& x8 A7 w! S& _8 W9 N% j
  |7 t: T  o- b7 z9 ]  C/ n

/ q/ d, W( C( {) O3 p+ D) ~! Y以上10款产品便是国产MOS管在使用过程中的核心数据呈现,具体可有电机驱动开发工程师进一步选择使用。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的,详细参数规格表可登陆“飞虹电子”网址。" J$ J! P& B2 e2 W6 @8 d

! g5 p+ ]" [' A5 O' v* B9 Q飞虹电子是优质的MOS管研发团队,过程中会有专业的产品工程师与厂家共同维护研发,让企业产品能够得到最优的保障。
& D  i* b4 {! e9 z2 C) ]
% |6 i8 {7 K- {+ a选择可替代电机驱动电路的型号参数场效应管,飞虹半导体为国内的电子产品厂家提供优质产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹电子”即可找到我们,免费试样热线:400-831-6077。+ N4 m0 Y7 p$ b" `6 R3 V

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