把MOS管玩烧了，谁能帮看看是什么问题

elephant_

设计了个简单电路，想实现NE555控制充放电，NE555由24V通过LDO降压成12V，控制24V电源给电容充电与放电，MOS管用的是N+P的芯片，做出来后现象是电容只能充到差不多12V，发现过了NMOS管电压就降为12V，想着跳过NMOS是不是可以充到24V，就从二极管飞线到电容正极那，结果MOS芯片烧毁，PMOS的S脚烧黄了。

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lrene

你栅极驱动都做的不对，你栅极电压只有12V，当然只能到12V

qian211111

这图不对，G极电阻太大

dream123

飞线只是短路DS而已可能是充电电路过大生火氧化了，确定管子烧毁了？还有想充电到24V似乎不可能因为场效应管毕竟不是机械触点只有极少压降，这是不可能完成的任务。

超級狗

NCE630S 的 Vgs 耐壓只有 +/-20V，如果 NE555-OUT 的電壓會低到 0V，那就要小心了！

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天丛云

首先是MOS1，MOS的驱动电压是栅极电压减去源极电压，管子才能开通，栅极接555源极接电容，当电容电压到12V就和栅极很接近了，两者相减小于阈值电压，管子就无法打开，就不能继续充电了，可以考虑555和管子之间接一个隔离驱动。其次将二极管短接到电容，要看下是短接到了原理图中C3左侧引脚还是R1左侧引脚，如果是R1那考虑是不是因为电源通过管子短接到GND过流烧毁。