把MOS管玩烧了，帮忙看看是什么问题

harrisonny

设计了个简单电路，想实现NE555控制充放电，NE555由24V通过LDO降压成12V，控制24V电源给电容充电与放电，mos管用的是N+P的芯片，做出来后现象是电容只能充到差不多12V，发现过了NMOS管电压就降为12V，想着跳过NMOS是不是可以充到24V，就从二极管飞线到电容正极那，结果MOS芯片烧毁，PMOS的S脚烧黄了
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邵先生

首先复合MOS管中的N管GS之间需要有一个阈值电压才能开通MOS管，当你的Nmos管开通的时候DS导通给电容充电，当电容上的电压充到12V时候，GS的阈值电压已经低于导通阈值电压故而Nmos管关闭，电容电压最高只能到达12V，当你把24V电压飞线到电容正极时候，也就是S2脚会到达24V电压，S2、G2存在压差P管导通，S2/D2直接接地相当于电源正极直接接地，所以会打坏S脚

zxshunine

G极电阻太大

fantasyqqq

你栅极驱动都做的不对，你栅极电压只有12V，当然只能到12V

行行QU

栅极电阻太大，很容易导通的

yubaiming

24V降压到12V用LDO？这也太大压差了吧，能抗住发热也是个大问题

sunny哥

yubaiming 发表于 2022-3-14 21:32
8 [- @( t6 i* `$ e1 Q' ], \9 g: i  w24V降压到12V用LDO？这也太大压差了吧，能抗住发热也是个大问题

+ [. ~* d, q6 X% n# E24降到5V都可以正常运作

HDJAKCUE

学习

Chris0802

邵先生 发表于 2022-03-14 16:51:19
- S# ^! z/ o( _4 N0 L首先复合MOS管中的N管GS之间需要有一个阈值电压才能开通MOS管，当你的Nmos管开通的时候DS导通给电容充电，当电容上的电压充到12V时候，GS的阈值电压已经低于导通阈值电压故而Nmos管关闭，电容电压最高只能到达12V，当你把24V电压飞线到电容正极时候，也就是S2脚会到达24V电压，S2、G2存在压差P管导通，S2/D2直接接地相当于电源正极直接接地，所以会打坏S脚

2 t! X0 }+ \4 i  }正解赞

jimtien

NCE603 内部是一个PMOS，一个NMOS，你并联使用？