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MOS管和IGBT管有什么区别？

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purpose_857
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2022-2-21 14:17 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    MOS管和IGBT管有什么区别？
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    zhangxj10@
  • TA的每日心情
    开心
    2022-5-26 15:27

    • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II
    2#
    发表于 2022-2-21 14:21 | 只看该作者
    666666666666666

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    unfaithful2021
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    3#
    发表于 2022-2-21 15:04 | 只看该作者
    MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。

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    unfaithful2021
  • TA的每日心情
    开心
    2022-1-29 15:04

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    4#
    发表于 2022-2-21 17:50 | 只看该作者
    MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。
    , \; A0 J8 Y1 [$ p+ @& SIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。

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