三极管和MOS管在做开关电源电路设计中如何区别及选用

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　　(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
　　(2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
　　(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
: b3 _' R# k+ V. {9 Z. `8 f  A　　(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
　　(5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于开关电源及各种电子设备中。尤其用场效管做开关电源的功率驱动，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
　　(6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
　　三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列出几条：
　　1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是跨导gm;
, B# |% F  {  h) s4 x: R; h% C　　2.驱动能力：MOS管常用来电源开关管，以及大电流地方开关电路;
  o' M3 ]) j1 Z- V. F% f　　3.成本问题：三极管便宜，MOS管贵;
　　4.BJT线性较差，FET线性较好;
　　5.BJT噪声较大，FET噪声较小;
　　6.BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型,所以FET选型和使用都比较复杂;
　　7.功耗问题：BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流

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　实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制;MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
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随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。
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