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DDR2里面的ADDR CMD CNTRL DATA DQS DQ DM 各代表什么啊，在布线时应怎样来布啊，望高手指点, S( {! w+ U4 v3 c
0 N$ ]( V& p$ k
忽略电源,地网络.+ Z& E- k; L6 M8 L( \7 \ Y
1 S) x4 C! r. p9 R5 s% Z
DDR2可以分为以下三类:
w9 n- [0 C1 j9 j6 J P# [; N5 D+ ], I) v
1,差分时钟信号:CLK_N,CLK_P
: Z ~: G" R; _" z
8 v2 e7 t" Q2 G% B4 U2,数据线DQ0~DQ15,数据掩码信号DQM0,DQM1,数据选通信号DQS*_N,DQS*_P
( G+ T' D- D0 L O: @7 }$ p4 `/ D% V* L( o# w2 c
3,地址线/控制线:除数据,时钟外的其他信号,如A0~A12,WE,CS,BA0~2,CKE等等2 q8 D, N/ j$ O, ~3 s
. G; d: A7 z- ?" G* I- O可以设置为以下几个class规则:
; m; O) |2 L. Q, n8 E3 L) o8 I) e4 a8 v0 W7 ^
1,DATA_L_BUS Q0~DQ7,DQM0,DQS0_N,DQS0_P
: U! w F7 N; y/ D% r& C6 |/ h
& |. C v( c% N7 x, ^! _2,DATA_H_BUSQ8~DQ15,DQM1,DQS1_N,DQS1_P
5 C$ `1 W# Q6 F+ T
! A' E- Z, `$ U0 o* ^3,ADDR_BUS:除数据线外的其他信号
/ `$ W/ I& P* @+ w$ g5 u( W
) X- F- e; s' n: l- M9 b+ K4,CLK_DIFF: CLK_N,CLK_P1 K" {6 v6 ^& K* p
- `. ^+ Z' f: ]. I u( g4 O
等长设计:: F/ S4 N4 o4 `6 o
# ?7 X X0 b/ ]# X
1,所有信号线参加差分时钟的长度作等长' h" ?- s4 S8 `9 M9 L) m/ w
" r1 _6 j8 `0 c1,DATA_L_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil
0 Q) K' a- x4 q2 ?3 ~, j, K. N# m7 N8 Z
2,DATA_H_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil. D$ _( S# j1 B4 G1 A" ?
. |4 g6 @1 k. ]- d
3,ADDR_BUS:与差分时钟的长度误差200~300mil; { m# G, r" }/ a. {
; K2 W" g" Z0 i C; O. ` W2 N
其他要求:7 ^' W# G% ^! k+ ^& b
* o% L5 p2 v6 h# a$ a+ a% ~, N# z6 U1 t
1,特性阻抗: 单端 50欧,差分100欧
! Q) c L4 ^- z% r5 J; g9 g
' I' Y* S; J: d+ m" n2,完整的参照平面
2 v1 o- I9 L# y7 r z& B1 U) K! I' A8 k
3,VREF电容要靠近相关的电源管脚,线宽尽量在40mil以上2 h% e$ A8 y5 h1 `/ W( v+ j
$ e2 s# \* h6 k' G5 k; i1 F; F Q4,信号线不能跨分割.
9 z0 z/ R; }1 u6 {- i/ g) p, X# p5 }0 ]
5,DDR2走线区域不允许有其他信号穿过.- K4 ~+ h0 @) L
) Q: R& D5 d* p0 s$ d6,去耦电容要靠近相关ＩＣ的电源管脚
1 g F1 T: b ?4 l# m
6 w' V2 D9 S9 a- ~0 l+ N9 ?7,尽量采用多层板/ w9 T! q3 P" `/ f7 i& J' Y
7 \$ E8 [8 U& P; z1 p
1 l3 C% o1 G! ]/ A, |; J1 M" Z+ A7 X) `1 y' S
* M* Y7 V* Q- @- B+ g$ s: }/ p) i$ l4 _
+ r' a+ c2 y# Y. N |
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发表于 2011-8-30 21:27
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