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DDR2里面的ADDR CMD CNTRL DATA DQS DQ DM 各代表什么啊，在布线时应怎样来布啊，望高手指点) G1 V; W+ B9 @3 J5 h/ M r1 c
! B0 P* I: B' G) {+ V
忽略电源,地网络.
) X- W0 c0 t! j) I+ t* M- F9 [1 [$ j+ y& c* U
DDR2可以分为以下三类:/ I) F) f U" p& `1 p
$ [1 n1 w+ G' v. @0 d: c4 Z
1,差分时钟信号:CLK_N,CLK_P5 o6 \ f4 T; b* }8 T2 C" P
! f7 h: j! W+ W
2,数据线DQ0~DQ15,数据掩码信号DQM0,DQM1,数据选通信号DQS*_N,DQS*_P; {! g- w# R' e4 i' f
" K' s* ~& Z. r/ H$ Q
3,地址线/控制线:除数据,时钟外的其他信号,如A0~A12,WE,CS,BA0~2,CKE等等0 ^+ _; Z1 K, V, D
7 n& H3 V2 L) e E6 n: F6 F
可以设置为以下几个class规则:1 q3 U+ x, { Z/ x. z( s! d
: F1 c) l% `$ v/ o- f5 c1 J1,DATA_L_BUS Q0~DQ7,DQM0,DQS0_N,DQS0_P9 u: A& |3 F1 d: w! O8 V. M
" A9 v4 ]' W! X8 S$ A2,DATA_H_BUSQ8~DQ15,DQM1,DQS1_N,DQS1_P
. a% X7 u( N4 L2 g( O0 H$ N
" w6 w7 P r3 n9 v$ a. s3,ADDR_BUS:除数据线外的其他信号+ C7 e( M' R7 a
$ y# ~# H% H# f- i/ c8 \$ J1 f) J
4,CLK_DIFF: CLK_N,CLK_P
# i, [0 a( w7 g$ e- M c9 N8 m$ _3 a3 _7 Z0 e
等长设计:
! t# K3 o+ h4 S+ n# j+ x r3 f: V4 k" ]5 J8 |" H
1,所有信号线参加差分时钟的长度作等长
( w' Q' _' g7 ?1 j& |+ ~0 S. D' ^3 D7 l
1,DATA_L_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil- L; r W3 }, [( b6 k3 x
5 I' C3 Q" K, P1 ?* e
2,DATA_H_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil' C3 ~1 n% E/ ]4 E
5 }$ \9 h+ v- `$ O7 n J$ _8 U
3,ADDR_BUS:与差分时钟的长度误差200~300mil" ?( E/ Z9 A: | C- {+ D
/ T4 g0 F9 s i" n2 o) C$ b( t Z" p
其他要求:
8 D# ^2 w% F: e" m( E- _% q2 j- d- p4 C9 @2 L3 `' }
1,特性阻抗: 单端 50欧,差分100欧; ]0 [' t9 [6 }7 Z
+ _8 k0 G: y' s) {
2,完整的参照平面
! Y) o2 W4 V7 q* e
. J$ f& C* f" |% p8 S0 i1 S3,VREF电容要靠近相关的电源管脚,线宽尽量在40mil以上5 g' O/ d6 Y% g
7 m9 P+ V' O' ?4,信号线不能跨分割.
2 L% D0 e2 }) A' G9 M! x
' F2 v; c/ D5 d) Z1 p* v& ?; p5,DDR2走线区域不允许有其他信号穿过.5 x& p0 p/ L) S6 f. f
: Q: ]5 D# M2 b, F6,去耦电容要靠近相关ＩＣ的电源管脚( w0 f" k. h+ ~8 Y
Y2 o2 y, s u) D" H7,尽量采用多层板" y, W0 u' E6 m) L- l5 ~
0 u6 B- w/ ^; v# ]6 \) p
5 ]: Q' e/ e3 M0 p5 ]+ Q
0 n# V- c. |. q, x! E, g
# X, G, }/ s: ~3 b) l
3 d& |0 C, d8 K8 |, I; I$ V; c& F ~8 O1 \) ]$ r
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发表于 2011-8-30 21:27
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