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DDR2里面的ADDR CMD CNTRL DATA DQS DQ DM 各代表什么啊，在布线时应怎样来布啊，望高手指点$ \! Y/ l x' U4 R
$ G& k0 |* T! {* \! | e忽略电源,地网络., [" w& R! d$ f. x; r
n( E) @( D/ z6 H$ D9 bDDR2可以分为以下三类:
2 J: b! n; e1 A* h r* F0 c0 ^: E9 X+ A/ L
1,差分时钟信号:CLK_N,CLK_P& n# }8 p7 R! P5 [5 m8 C( L" V/ l; P
- ]2 l( C, ?" k- j+ @2,数据线DQ0~DQ15,数据掩码信号DQM0,DQM1,数据选通信号DQS*_N,DQS*_P- P4 H/ r7 r7 `5 n; J1 i- l& ^+ I3 b
' D8 @# E8 B! C+ Q" d, X3,地址线/控制线:除数据,时钟外的其他信号,如A0~A12,WE,CS,BA0~2,CKE等等 U/ \6 R O. ]2 w; `) }" |$ C) U& \
# J7 p/ p4 C) W8 h$ Q可以设置为以下几个class规则:
! H- j: U- c$ T5 ]8 ^4 c
! I/ X; D- J. b1 Y G( q1,DATA_L_BUS Q0~DQ7,DQM0,DQS0_N,DQS0_P ?+ @ N/ [ U" `$ _
# n3 k+ o5 @$ n, b8 X2,DATA_H_BUSQ8~DQ15,DQM1,DQS1_N,DQS1_P5 P2 B+ F p. N$ Z& S3 `
6 N( c- @" {' ?6 ^" y3,ADDR_BUS:除数据线外的其他信号' e) }; h3 @6 k# L4 r$ J
3 z2 u6 [- O" i" a3 v& S4,CLK_DIFF: CLK_N,CLK_P2 H( Y/ w" F4 a. C: ^7 w
+ C( |. {4 v1 C2 U Q等长设计:1 V7 C2 d) I+ h3 X* R' a
: o* }" e2 I5 C+ P, n: j- `
1,所有信号线参加差分时钟的长度作等长- Z' C" A+ k2 C' s' i1 X
7 m4 N% e" V) z( t
1,DATA_L_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil
6 q. k/ i6 ^8 t4 Z6 h I! j8 g
3 Q5 i. E. i% G( E) ?2,DATA_H_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil
1 W" s! ]& k0 C6 `' e
4 C; z6 C8 q' j( T$ q7 I3,ADDR_BUS:与差分时钟的长度误差200~300mil
" D$ R/ `- p1 @! ]4 G( Q% G' q$ _5 Y
其他要求:6 K% q& g9 I- m3 p( v
7 N c* ~+ l( U7 I" ]9 l# {/ N1,特性阻抗: 单端 50欧,差分100欧
8 C9 K9 \' p- j% F$ v. x8 H7 q5 P) h! D m1 [
2,完整的参照平面& U9 d( ~+ g& i; u+ h1 ?
8 z8 Q6 V2 g) @7 W$ }) D% V9 t
3,VREF电容要靠近相关的电源管脚,线宽尽量在40mil以上
8 v) L& ~, k- Z& m, M3 f- `% n9 i" F4 t( Z
4,信号线不能跨分割.. L' c4 l, D3 y
0 v M* |: r1 g! z5,DDR2走线区域不允许有其他信号穿过.% x8 C2 X) e' N5 G5 f$ l7 P( J u
' l3 D7 e! c2 O6,去耦电容要靠近相关ＩＣ的电源管脚8 b9 e; S# i( x* L# M3 n. N
$ B, @& M! {9 _7,尽量采用多层板- F* K; N! K8 d; V& ]
- m& S7 ]" |3 J5 l5 l0 `: c5 k. t! ~
. P* R3 ?6 f3 n
! x. F- @- Z% U( g7 p) |& i
9 s& o8 u; N, h4 z5 P- A
5 W0 J5 N: y U. U( G1 U
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发表于 2011-8-30 21:27
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