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DDR2里面的ADDR CMD CNTRL DATA DQS DQ DM 各代表什么啊，在布线时应怎样来布啊，望高手指点
$ p ? @% t s3 ^" k" `* S' s/ q
% N# ]2 V; i( r/ @2 S忽略电源,地网络.
0 X1 V: I% @- c) c; c$ ]
+ K8 o8 e2 C: N; F3 S1 {+ ?DDR2可以分为以下三类:
8 E, W8 [2 g; k1 T- c2 W; N2 S9 P
1,差分时钟信号:CLK_N,CLK_P
% \# @/ l+ R/ j! t0 E& R' `7 H" w9 Z( V& Z; Y3 o
2,数据线DQ0~DQ15,数据掩码信号DQM0,DQM1,数据选通信号DQS*_N,DQS*_P& l8 @! p0 p" F: ^/ k, l7 D7 k. R
* ~( e8 X% {9 E# e* T
3,地址线/控制线:除数据,时钟外的其他信号,如A0~A12,WE,CS,BA0~2,CKE等等1 _* _/ A1 C) f- g) I# e
. j. Q! L* l0 ~5 W$ c/ d
可以设置为以下几个class规则:+ s' x) N0 H& @2 a" }
( q; G# x2 t9 a9 ~' V1,DATA_L_BUS Q0~DQ7,DQM0,DQS0_N,DQS0_P
: A/ ` Q( R; ]! l# ]3 F5 M) k7 I" T1 K: v/ m; D4 I' j* B! m& Z3 u
2,DATA_H_BUSQ8~DQ15,DQM1,DQS1_N,DQS1_P
* i5 G1 @3 }+ [ ]0 H" y$ |1 j- B1 e6 Q- V
, A6 }" ~% m% I7 c& q' D1 z2 F3,ADDR_BUS:除数据线外的其他信号4 x! g* L# x) r. T
. ?5 D, g" l$ ? ]; H8 I' p4,CLK_DIFF: CLK_N,CLK_P5 G7 s5 F8 D1 ~
5 j8 \0 B& v! O4 I& b; [, N. n
等长设计:
8 d% \8 T- ]* y$ E1 R1 F6 u- X$ L& T ^, n' F4 U4 T: v
1,所有信号线参加差分时钟的长度作等长# l. R9 `# d2 d6 u' X
5 Y, q! K; q6 G; N* r- G5 R
1,DATA_L_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil `! R" S( R7 f: B( W) w9 m
, O, h$ z) {# [) j
2,DATA_H_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil& C0 B5 E) n: q3 R# Z) ?
n1 }( ~' A, s) M
3,ADDR_BUS:与差分时钟的长度误差200~300mil
. W8 L5 h, P3 E8 [" X, Y& n4 L! c, E. o0 O4 }3 v" Y8 K
其他要求:
- f ~8 Y: R+ k3 }6 ^! c. {8 C; X- z
1,特性阻抗: 单端 50欧,差分100欧8 c8 x8 |3 u( Z/ Q9 |4 a6 `2 e
4 F' T- H: M9 Y5 H8 l
2,完整的参照平面
9 w' h6 g& P* L
# ~$ Q! C, { r$ ]: f3,VREF电容要靠近相关的电源管脚,线宽尽量在40mil以上
. V2 p. A8 `& v
$ E) c5 ~- `) b0 \! D' S4,信号线不能跨分割.
2 C3 Q0 [) |" C' D( I- p/ s6 N% ?( T+ `
5,DDR2走线区域不允许有其他信号穿过.
) i: F" ]% t" Z' y# f. j3 b
3 L- T" Q0 ^1 r& U$ j: v6,去耦电容要靠近相关ＩＣ的电源管脚* E8 a" `( @3 m1 X `
/ D8 G$ @" e4 S& z, e, h+ P7,尽量采用多层板
0 {7 O3 L; ?5 F
+ _6 G' B4 j/ K) @% |3 d
8 C( r0 r# ]3 w9 S1 D* \5 v
6 V' n R) P) G! y4 Y
& i* x6 a' f: {8 _2 A
% R, s) Z& [5 r1 r; _5 W$ J- p0 N. }7 t
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发表于 2011-8-30 21:27
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