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请教大神们如何改善上升沿的时间？越小越好

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发表于 2022-2-9 14:21 | 只看该作者回帖奖励

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现在在做一个东西，需要一个窄脉冲，我用32产生的一个脉冲，但是有个缺点就是产生的脉冲上升沿只能达到10ns，这个还不能满足我的要求，所以请教大家有什么方法可以改善它，最好能到1ns，自己也试过很多方法，弄了个整形电路，效果也不是很理想，加速电容什么的效果也没有太大的改善，所以很恼火，真心求教，如果有这方面的经验的可以讨论一下，谢谢了！

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2^#

发表于 2022-2-9 15:32 | 只看该作者

加强IO驱动能力，减小线路寄生电容

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3^#

发表于 2022-2-9 15:38 | 只看该作者

我觉得可以用个高速比较器去比吧，TLV3501大概能4.5ns吧，再快不了解了。32的AHB才多快啊，本身速度就没有那么快吧，如果说你的32最高时钟100M，最快一个时钟改变电平，这个上升沿算下来也就10ns。这个不可能超过他的最高时钟速度吧。

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4^#

发表于 2022-2-9 15:43 | 只看该作者

走线加粗，引脚模式是哪个呀

点评

走线加粗会增加寄生电容，上升沿更拉了。详情回复发表于 2022-2-10 10:33

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5^#

发表于 2022-2-10 08:59 | 只看该作者

用ECL逻辑差动方式，1nS以下妥妥滴。

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TA的每日心情

	开心 2021-11-23 15:57

签到天数: 2 天

[LV.1]初来乍到

6^#

发表于 2022-2-10 10:33 | 只看该作者

reminisce 发表于 2022-2-9 15:43
" k3 r% _# C; R+ n( R: z2 o走线加粗，引脚模式是哪个呀

走线加粗会增加寄生电容，上升沿更拉了。

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没有星星的夜空

TA的每日心情

	衰 2023-12-14 15:02

签到天数: 283 天

[LV.8]以坛为家I

7^#

发表于 2022-2-10 16:52 | 只看该作者

自己在芯片外部增加上拉可以加快上升沿速度

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