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选择mos管需要考虑那些参数?

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1#
发表于 2022-2-7 10:08 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
这是si2301,Pmos管的三个VGS参数,分别说的是什么含义呢6 p8 E* P+ E- S: w2 q6 S- V

) F* D/ V( |' Z这个说的Vgs的范围,正负8V吗+ ]6 q: [6 K6 `
1 f8 m; D8 T4 X* q9 @2 y9 T" F& O% b
这个是什么意思呢?* B  |* \1 G+ T5 V1 Y
2 H' A  ?* a; z, [- @  r
这个是什么意思呢,Vgs(th)中的th是什么意思呢

1 k* L8 F, Y. B& v9 G+ T1 E
$ y8 y3 x3 ]5 V0 }7 r# A
5 Q4 m8 `& `$ t; ?- ~+ \+ W% F, m

8 [. [2 N# V4 U. r# R

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2#
发表于 2022-2-7 11:24 | 只看该作者
这个主要是看你用在什么上面,然后根据你的应用选择参数。一般来说,考虑的参数是Vds,Ids以及Rds这三个,还有有的会考虑Ciss这个参数的& b- K$ P: t6 c5 I

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3#
发表于 2022-2-7 13:55 | 只看该作者
再看看其他人是怎么说的- |  l' Z: v* b2 g

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4#
发表于 2022-2-7 14:38 | 只看该作者
同问,求结果哈; C) ?$ U4 ~& p! M( [' N
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