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MOS管其发热情况

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1#
发表于 2022-1-29 14:20 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误。) P5 i2 _& s7 C$ o$ _1 ]# U1 p. |5 D

) F  Q- ]" h# x+ G$ F2 {2、频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了。" M) v& M4 [" T. v! s6 X, m
# p2 n' n& |0 \% C6 Z! g- F
3、没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片。
" Q$ D$ @8 r0 V) `) z# d4 J5 h/ n1 I* N' T, i# t: h! X; q
4、MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。

. ]! ~  ^- J, V6 ^% x& Q

该用户从未签到

2#
发表于 2022-1-29 14:57 | 只看该作者
电路的设计对MOS管的发热影响很大的
  • TA的每日心情
    开心
    2023-6-2 15:15
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2022-1-29 15:23 | 只看该作者
    尽量做好散热,避免过热损坏
      ^+ d* m) c2 d( [* \3 ?3 O9 S
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